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Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' (1999)

  • Authors:
  • Autor USP: MIOTTO, RONEI - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade e uma Dinâmica Molecular Quântica que envolve o formalismo de pseudopotenciais de primeiros princípios, fizemos cálculos de energia total, estrutura atômica e eletrônica, e ligação química para ocrital perfeito e a superfície do GaAs e das fases cúbicas do BN, AIN, GaN e InN para determinar o papel da aproximação do gradiente generalizado (GGA) no funcional da energia de troca e correlação. Nossos cálculos mostram que o efeito combinadoda correção não linear de caroço e da aproximação GGA é responsável por mudanças significativa nos parâmetros estruturais e na estrutura eletrônica das superfícies polares (001), independentemente da ionicidade do elemento estudado, mas não édecisivo para o cristal perfeito e para a superfície não polar (110). Nossos cálculos para a superfície (110) sugerem que o ângulo de rotação da ligação entre o cátion e o ânion que compõe a superfície é muito menor para os nitretos: em torno de'15 GRAUS' comparado com '30 GRAUS''+ OU -' observado para outros semicondutores III-V. Neste trabalho propomos um modelo com uma relação linear entre o deslocamento vertical do cátion e do ânion da camada superficial e o comprimento de ligaçãosuperficial após a relaxação para todos os semicondutores III-V e II-VI. Além disso, observamos que a superfície (110) de todos os compostos III-V e II-V apresentam estruturas eletrônicas muito similares. Também procedemos estudos detalhados daestrutura atômica eeletrônica das reconstruções (1 X 1), (2 X 2), c(2 X 2) e (1 X 4) terminadas em gálio da fase cúbica do GaN crescido na direção (001). Observamos que apenas a reconstrução (1 X 4) apresenta caráter semicondutor e que é a maisfavorável do ponto de vista energético, com um ganho de 0,29 eV por célula unitária (1 X 1) quando comparada a reconstrução (1 X 1). A incorporação do nitrogênio em estruturas cristalinas foi inicialmente testada considerando ) a dissociação e posterior adsorção das moléculas N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a reconstrução (2 X 1) da superfície de silício crescida na direção (001). Nossos cálculos apontam que quando da adsorção, em ambos os casos, os dímerosde 'SI' são simétricos e seu comprimento de ligação é maior do que o observado para a superfície livre. As estruturas eletrônicas obtidas indicam que a adsorção das moléculas de amônia e de trifluoreto de nitrogênio resultam na passivação dasuperfície de silício
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 08.10.1999
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      MIOTTO, R.; FERRAZ, A. C. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI'. 1999.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/ >.
    • APA

      Miotto, R., & Ferraz, A. C. (1999). Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI'. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
    • NLM

      Miotto R, Ferraz AC. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
    • Vancouver

      Miotto R, Ferraz AC. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/

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