Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1351524
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; NITROGÊNIO; ESTADO SÓLIDO; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524 -
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524 -
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524 - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Estabilidade em super-redes iii-v
- Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1351524 (Fonte: oaDOI API)
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