Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7 (1992)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapura
- Date published: 1992
- Source:
-
ABNT
FIGUEIREDO, S K e FERRAZ, Armando Corbani. Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7. Brazilian School Semiconductor Physics, 5. Tradução . Singapura: World Scientific, 1992. . . Acesso em: 14 mar. 2026. -
APA
Figueiredo, S. K., & Ferraz, A. C. (1992). Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7. In Brazilian School Semiconductor Physics, 5. Singapura: World Scientific. -
NLM
Figueiredo SK, Ferraz AC. Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7. In: Brazilian School Semiconductor Physics, 5. Singapura: World Scientific; 1992. [citado 2026 mar. 14 ] -
Vancouver
Figueiredo SK, Ferraz AC. Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7. In: Brazilian School Semiconductor Physics, 5. Singapura: World Scientific; 1992. [citado 2026 mar. 14 ] - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Estrutura eletronica de super-redes
- Superficie de semicondutores
- Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Adsorção e dissociação molecular do oxigênio na superfície do CdTe (110)
- Passivização da superfície InP(001) através da adsorção e dissociação da molécula de H2S
- Maleic anhydride adsorption on silicon (001)
- Geometry and stability of the ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultrathin superlattices
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas