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Artigo de periodico
Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)
Kumar, M.; Baldissera, G.; Persson, C.; David, D. G. F.; Silva, M. V. S. da; Ferreira da Silva, A.; Freitas, J. A., Jr.; Tischler, J. G.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao
Source: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
NLM
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Vancouver
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Artigo de periodico
Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas (2014)
Tanaka, Paula Yurie; Ohshima, Kouichi; Matsuoka, Masao; Sabino, Ester Cerdeira ; Ferreira, Suzete Cleusa; Nishya, Anna Shoko; Costa, Renata de Oliveira; Calore, Edenilson Eduardo; Perez, Nilda Maria; Pereira, Juliana
Source: Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. Unidades: FM, IF
Subjects: HIV, SÍNDROME DE IMUNODEFICIÊNCIA ADQUIRIDA, HERPESVIRUS 4 HUMANO
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ABNT
TANAKA, Paula Yurie et al. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, v. 30, n. 3, p. 191-194, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Tanaka, P. Y., Ohshima, K., Matsuoka, M., Sabino, E. C., Ferreira, S. C., Nishya, A. S., et al. (2014). Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, 30( 3), 191-194. doi:10.1007/s12288-014-0345-9
NLM
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Vancouver
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Trabalho de evento-resumo
Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas; Silva, Antônio Ferreira da; Silva, Marcus Vinicius Santos da; David, Denis G. F.; Freitas Jr, Jaime A.; Matsuoka, Masao; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas et al. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Costa, H. J., Silva, A. F. da, Silva, M. V. S. da, David, D. G. F., Freitas Jr, J. A., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2013). Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
NLM
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Vancouver
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Artigo de periodico
Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals (2013)
Isotani, Sadao; Albuquerque, Antonio Roberto Pereira Leite de; Matsuoka, Masao
Source: PHYSICA B-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TERMOLUMINESCÊNCIA, CINÉTICA, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
ISOTANI, Sadao e ALBUQUERQUE, Antonio Roberto Pereira Leite de e MATSUOKA, Masao. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v. 415, p. 38-43, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Isotani, S., Albuquerque, A. R. P. L. de, & Matsuoka, M. (2013). Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 415, 38-43. doi:10.1016/j.physb.2013.01.040
NLM
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Vancouver
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Trabalho de evento-resumo
Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas da; David, Denis G F; Silva, Antonio Ferreira da; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao; Freitas Junior, Jaime A
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
NLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Vancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films (2012)
Santos, Thales Borrely dos ; Mendonça, B. J.; Chinaglia, E. de F.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, M.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Mendonça, B. J., Chinaglia, E. de F., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2012). Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Mendonça BJ, Chinaglia E de F, Chubaci JFD, Matsuoka M. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Mendonça BJ, Chinaglia E de F, Chubaci JFD, Matsuoka M. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation (2012)
Souza, Pedro O. De; Rosa, Raffaela De; Guimarães, Renato S.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Gennari, Roseli F.; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SOUZA, Pedro O. De et al. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Souza, P. O. D., Rosa, R. D., Guimarães, R. S., Chubaci, J. F. D., Gennari, R. F., Matsuoka, M., & Watanabe, S. (2012). Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
NLM
Souza POD, Rosa RD, Guimarães RS, Chubaci JFD, Gennari RF, Matsuoka M, Watanabe S. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
Vancouver
Souza POD, Rosa RD, Guimarães RS, Chubaci JFD, Gennari RF, Matsuoka M, Watanabe S. Thermoluminescense and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0905-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. (2011)
Souza, Pedro O de; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Guimarães, Renato S; Rosa, Raffaela de; Torres, Henrique G; Gennari, Roseli F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
SOUZA, Pedro O de et al. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Souza, P. O. de, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Guimarães, R. S., Rosa, R. de, et al. (2011). Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
NLM
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Vancouver
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD (2011)
Santos, Thales Borrely dos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Hattori, Yocefu; Souza, Pedro O de; Gennary, Rosely F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA ÓPTICA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Hattori, Y., Souza, P. O. de, & Gennary, R. F. (2011). Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode (2010)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Surface and Coatings Technology. Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, IFSC
Subjects: ÍONS (ESTUDO), POLÍMEROS (MATERIAIS), EMISSÃO DA LUZ, DIODOS
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014. Acesso em: 03 nov. 2025. , 2010
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2010). Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Trabalho de evento-resumo
Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD (2010)
Prado, Caio A G; Sparvoli, Marina; Matsuoka, Masao; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Chubaci, José Fernando Diniz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Caio A G et al. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Prado, C. A. G., Sparvoli, M., Matsuoka, M., Assali, L. V. C., & Chubaci, J. F. D. (2010). Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
NLM
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Vancouver
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Assali LVC, Chubaci JFD. Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1248-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (2010)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Zambom, Luís da Silva ; Ogata, Katsuhiko
Source: Surface & Coatings Technology. Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, EP
Assunto: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972. Acesso em: 03 nov. 2025. , 2010
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Zambom, L. da S., & Ogata, K. (2010). Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2010)
Dionysio, Danilo Olzon; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Matsuoka, Masao; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range (2006)
Nascimento, M L F; Nascimento, E; Pontuschka, W. M.; Matsuoka, Masao; Watanabe, S.
Source: Cerâmica. Unidade: IF
Assunto: SILICATOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASCIMENTO, M L F et al. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range. Cerâmica, v. 52, n. 321, p. 22-30, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Nascimento, M. L. F., Nascimento, E., Pontuschka, W. M., Matsuoka, M., & Watanabe, S. (2006). Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range. Cerâmica, 52( 321), 22-30. doi:10.1590/s0366-69132006000100004
NLM
Nascimento MLF, Nascimento E, Pontuschka WM, Matsuoka M, Watanabe S. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range [Internet]. Cerâmica. 2006 ; 52( 321): 22-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004
Vancouver
Nascimento MLF, Nascimento E, Pontuschka WM, Matsuoka M, Watanabe S. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range [Internet]. Cerâmica. 2006 ; 52( 321): 22-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004
Artigo de periodico
Montagem e caracterização do sistema de deposição assistida por feixe de íons (2006)
Lopes, K C; Matsuoka, Masao; Sucasaire, W; Mittani, Juan Carlos Ramirez; Perego, C C; Tromba, Antonio Carlos; Morais, O B de; Meira, A O R
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: FEIXES, ÍONS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, K C et al. Montagem e caracterização do sistema de deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 3, p. 131-134, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol253/25_3_131.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Perego, C. C., Tromba, A. C., et al. (2006). Montagem e caracterização do sistema de deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 3), 131-134. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol253/25_3_131.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Perego CC, Tromba AC, Morais OB de, Meira AOR. Montagem e caracterização do sistema de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 3): 131-134.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol253/25_3_131.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Perego CC, Tromba AC, Morais OB de, Meira AOR. Montagem e caracterização do sistema de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 3): 131-134.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol253/25_3_131.pdf
Artigo de periodico
Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition (2006)
Sucasaire, Wilmer; Matsuoka, Masao; Lopes, Karina C; Mittani, Juan Carlos Ramirez; Avanci, Luis H; Chubaci, José Fernando Diniz ; Added, Nemitala ; Trava, Vladimir; Corat, Evaldo J
Source: Journal of Brazilian Chemical Society. Unidade: IF
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPECTROSCOPIA INFRAVERMELHA
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ABNT
SUCASAIRE, Wilmer et al. Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition. Journal of Brazilian Chemical Society, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v17n6/a14v17n6.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Sucasaire, W., Matsuoka, M., Lopes, K. C., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2006). Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition. Journal of Brazilian Chemical Society. doi:10.1590/s0103-50532006000600014
NLM
Sucasaire W, Matsuoka M, Lopes KC, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Added N, Trava V, Corat EJ. Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Journal of Brazilian Chemical Society. 2006 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v17n6/a14v17n6.pdf
Vancouver
Sucasaire W, Matsuoka M, Lopes KC, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Added N, Trava V, Corat EJ. Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Journal of Brazilian Chemical Society. 2006 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/jbchs/v17n6/a14v17n6.pdf
Artigo de periodico
Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition (2005)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mittani, Juan Carlos Ramirez; Chubaci, José Fernando Diniz ; Ogata, K; Kuratani, N
Source: Journal of Vacuum Science & Technology A. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, VÁCUO
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, v. 23, n. 1, p. 137-141, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.1839895. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mittani, J. C. R., Chubaci, J. F. D., Ogata, K., & Kuratani, N. (2005). Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, 23( 1), 137-141. doi:10.1116/1.1839895
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895
Artigo de periodico
Doping by diffusion and implantantion of V, Cr, Mn and Fe ions in uncoloured beryl crystals (2004)
Mittani, Juan C. R ; Watanabe, S.; Matsuoka, Masao; Baptista, D. L.; Zawislak, F. C.
Source: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA
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ABNT
MITTANI, Juan C. R et al. Doping by diffusion and implantantion of V, Cr, Mn and Fe ions in uncoloured beryl crystals. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2003.12.023. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Mittani, J. C. R., Watanabe, S., Matsuoka, M., Baptista, D. L., & Zawislak, F. C. (2004). Doping by diffusion and implantantion of V, Cr, Mn and Fe ions in uncoloured beryl crystals. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. doi:10.1016/j.nimb.2003.12.023
NLM
Mittani JCR, Watanabe S, Matsuoka M, Baptista DL, Zawislak FC. Doping by diffusion and implantantion of V, Cr, Mn and Fe ions in uncoloured beryl crystals [Internet]. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2003.12.023
Vancouver
Mittani JCR, Watanabe S, Matsuoka M, Baptista DL, Zawislak FC. Doping by diffusion and implantantion of V, Cr, Mn and Fe ions in uncoloured beryl crystals [Internet]. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2003.12.023
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes de nitreto de silício formados por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente (2004)
Sucasaire, Wilmer; Matsuoka, Masao; Mittani, Juan Carlos Ramirez; Lopes, K C; Zambom, Luís da Silva
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SUCASAIRE, Wilmer et al. Caracterização de filmes de nitreto de silício formados por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1409-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Sucasaire, W., Matsuoka, M., Mittani, J. C. R., Lopes, K. C., & Zambom, L. da S. (2004). Caracterização de filmes de nitreto de silício formados por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1409-1.pdf
NLM
Sucasaire W, Matsuoka M, Mittani JCR, Lopes KC, Zambom L da S. Caracterização de filmes de nitreto de silício formados por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1409-1.pdf
Vancouver
Sucasaire W, Matsuoka M, Mittani JCR, Lopes KC, Zambom L da S. Caracterização de filmes de nitreto de silício formados por deposição química assistida por plasma acoplado indutivamente [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1409-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses (2004)
Nascimento, Márcio Luis Ferreira; Matsuoka, Masao; Watanabe, S.; Nascimento, Eduardo do; Pontuschka, W. M.; Dantas, Noélio Oliveira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERCONDUTIVIDADE, VIDRO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASCIMENTO, Márcio Luis Ferreira et al. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Nascimento, M. L. F., Matsuoka, M., Watanabe, S., Nascimento, E. do, Pontuschka, W. M., & Dantas, N. O. (2004). Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
NLM
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
Vancouver
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf

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