Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)
- Authors:
- USP affiliated authors: CHUBACI, JOSE FERNANDO DINIZ - IF ; MATSUOKA, MASAO - IF
- School: IF
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
- Subject: FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 403,, p. 124-127, out.2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024814003844. Acesso em: 17 ago. 2022. -
APA
Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 -
NLM
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2022 ago. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024814003844 -
Vancouver
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2022 ago. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024814003844 - Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition)
- Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition
- The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide
- Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition)
- Caracterização de filmes finos de nitreto de índio para fabricação de sensores que operam na região do IR
- Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films
- Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD
- Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition)
- Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica
- Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD
Informações sobre o DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
Tipo | Nome | Link | |
---|---|---|---|
1-s2.0-S0022024814003844-... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas