Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)
- Authors:
- USP affiliated authors: CHUBACI, JOSE FERNANDO DINIZ - IF ; MATSUOKA, MASAO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
- Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 403,, p. 124-127, out.2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001. Acesso em: 01 jan. 2026. -
APA
Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 -
NLM
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2026 jan. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 -
Vancouver
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2026 jan. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 - Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition
- Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition)
- Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition)
- Caracterização de filmes finos de nitreto de índio para fabricação de sensores que operam na região do IR
- Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica
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- Study of the properties of indium nitride thin films, prepared by IBAD
- Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0022024814003844-... | Direct link |
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