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Dissertação (Mestrado)
Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras (2018)
Melo, Thiago Luiz Chaves de; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, SIMULAÇÃO, ABSORÇÃO
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ABNT
MELO, Thiago Luiz Chaves de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Melo, T. L. C. de. (2018). Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
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Melo TLC de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
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Melo TLC de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
Dissertação (Mestrado)
Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante (2017)
Aguirre, Fernando Rodrigues; Tabacniks, Manfredo Harri (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: RADIAÇÃO IONIZANTE, SEMICONDUTORES, FÍSICA EXPERIMENTAL, RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
AGUIRRE, Fernando Rodrigues. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Aguirre, F. R. (2017). Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
NLM
Aguirre FR. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
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Aguirre FR. Estudo sobre distribuição de cargas em semicondutores sujeitos a radiação ionizante [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13032017-113040/
Tese (Doutorado)
Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho (2017)
Claro, Marcel Santos; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO, SEMICONDUTORES
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ABNT
CLARO, Marcel Santos. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Claro, M. S. (2017). Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
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Claro MS. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
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Claro MS. Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02082017-153952/
Tese (Doutorado)
Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras (2015)
Rahim, Abdur; Gusev, Guennadii Michailovich (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: EFEITO HALL, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAHIM, Abdur. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Rahim, A. (2015). Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/
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Rahim A. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/
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Rahim A. Efeito Hall de spin em nanoestruturas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12072015-080251/
Dissertação (Mestrado)
Optomagnetismo associado ao spin eletrônico em semicondutores (2015)
Cordeiro, Renan Carlos; Henriques, André Bohomoletz (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SPIN (PROPRIEDADES FÍSICAS), SEMICONDUTORES
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CORDEIRO, Renan Carlos. Optomagnetismo associado ao spin eletrônico em semicondutores. 2015. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-08072015-134709/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Cordeiro, R. C. (2015). Optomagnetismo associado ao spin eletrônico em semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-08072015-134709/
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Cordeiro RC. Optomagnetismo associado ao spin eletrônico em semicondutores [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-08072015-134709/
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Cordeiro RC. Optomagnetismo associado ao spin eletrônico em semicondutores [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-08072015-134709/
Dissertação (Mestrado)
Óptica de raios X otimizada para estudo de dispositivos nanoestruturados com fontes compactas de radiação (2014)
Darin Filho, Gaspar; Morelhão, Sérgio Luiz (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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DARIN FILHO, Gaspar. Óptica de raios X otimizada para estudo de dispositivos nanoestruturados com fontes compactas de radiação. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-14112014-145219/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Darin Filho, G. (2014). Óptica de raios X otimizada para estudo de dispositivos nanoestruturados com fontes compactas de radiação (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-14112014-145219/
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Darin Filho G. Óptica de raios X otimizada para estudo de dispositivos nanoestruturados com fontes compactas de radiação [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-14112014-145219/
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Darin Filho G. Óptica de raios X otimizada para estudo de dispositivos nanoestruturados com fontes compactas de radiação [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-14112014-145219/
Tese (Doutorado)
Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (2013)
Righetti, Victor Augusto Nieto; Chitta, Valmir Antonio (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FENÔMENOS MAGNÉTICOS, ESPECTROSCOPIA ÓPTICA
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RIGHETTI, Victor Augusto Nieto. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Righetti, V. A. N. (2013). Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
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Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
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Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
Tese (Doutorado)
Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos (2012)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Maia, Á. D. B. (2012). Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
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Maia ÁDB. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
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Maia ÁDB. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos de spin em poços quânticos largos (2007)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Gusev, Guennadii Michailovich (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino. Efeitos de spin em poços quânticos largos. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Maia, Á. D. B. (2007). Efeitos de spin em poços quânticos largos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
NLM
Maia ÁDB. Efeitos de spin em poços quânticos largos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
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Maia ÁDB. Efeitos de spin em poços quânticos largos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25082009-080807/
Tese (Doutorado)
Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Arantes Junior, J. T. (2007). Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
NLM
Arantes Junior JT. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
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Arantes Junior JT. Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V com Mn [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da adsorção da molécula de 'H IND.2' S sobre a superfície 'I IND. n' P (001) (2006)
Souza, Sandro Inácio; Ferraz, Armando Corbani (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Sandro Inácio. Estudo da adsorção da molécula de 'H IND.2' S sobre a superfície 'I IND. n' P (001). 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12062015-153040/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Souza, S. I. (2006). Estudo da adsorção da molécula de 'H IND.2' S sobre a superfície 'I IND. n' P (001) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12062015-153040/
NLM
Souza SI. Estudo da adsorção da molécula de 'H IND.2' S sobre a superfície 'I IND. n' P (001) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12062015-153040/
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Souza SI. Estudo da adsorção da molécula de 'H IND.2' S sobre a superfície 'I IND. n' P (001) [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-12062015-153040/
Tese (Doutorado)
Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras "al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X-As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N (2005)
Marques, Marcelo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FENOMENOS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Marcelo. Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras "al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X-As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Marques, M. (2005). Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras "al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X-As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Marques M. Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras "al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X-As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N. 2005 ;[citado 2024 jul. 11 ]
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Marques M. Estudo teórico das ligas quaternárias semicondutoras "al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X-As, P ou N) e do sistema semicondutor magnético (Ga, Mn)N. 2005 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Tese (Doutorado)
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (2004)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André, (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Lamas, T. E. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
NLM
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
Vancouver
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
Tese (Doutorado)
Propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III e de suas ligas (2004)
Santos, A. M.; Leite, José Roberto, (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS SUPERCONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, A. M. Propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III e de suas ligas. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Santos, A. M. (2004). Propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III e de suas ligas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/
NLM
Santos AM. Propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III e de suas ligas [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/
Vancouver
Santos AM. Propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III e de suas ligas [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/
Tese (Doutorado)
Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica (2004)
Salazar, David Gregorio Pacheco; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALAZAR, David Gregorio Pacheco. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Salazar, D. G. P. (2004). Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Vancouver
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 jul. 11 ]
Tese (Doutorado)
Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais (2003)
Pereira, Regiane Aparecida Ragi; Romero, Murilo Araújo (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, Regiane Aparecida Ragi. Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01092003-145031/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Pereira, R. A. R. (2003). Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01092003-145031/
NLM
Pereira RAR. Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01092003-145031/
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Pereira RAR. Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01092003-145031/
Tese (Doutorado)
A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (2003)
Dalpian, Gustavo Martini; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Dalpian, G. M. (2003). A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
NLM
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
Vancouver
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
Tese (Doutorado)
Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) (2003)
Zevallos Chavez, Juan Yury; Cruz, Manoel Tiago Freitas da (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: DETECÇÃO DE PARTÍCULAS, SEMICONDUTORES, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
ZEVALLOS CHAVEZ, Juan Yury. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li). 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Zevallos Chavez, J. Y. (2003). Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
NLM
Zevallos Chavez JY. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
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Zevallos Chavez JY. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
Tese (Doutorado)
Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (2003)
Barbosa, Karina de Oliveira; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, Karina de Oliveira. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Barbosa, K. de O. (2003). Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
NLM
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
Vancouver
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
Tese (Doutorado)
Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm (2003)
Silva, Marcelo Jacob da; Quivy, Alain André, (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcelo Jacob da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25022014-115704/. Acesso em: 11 jul. 2024.
APA
Silva, M. J. da. (2003). Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25022014-115704/
NLM
Silva MJ da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25022014-115704/
Vancouver
Silva MJ da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25022014-115704/

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