A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (2003)
- Autores:
- Autor USP: DALPIAN, GUSTAVO MARTINI - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Resumo: Utilizando métodos de princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade, investigamos, de forma sistemática, problemas de interesse na física de semicondutores: (i) A liga 'Si IND. X' 'GE IND.1-X': observa-se um pequeno desvio da linearidade, para o parâmetro de rede da liga, em função da concentração, sendo que as distâncias entre átomos de Ge são as que mais variam. O comportamento de vacâncias nessa liga se mostrou intermediário entre o Ge e o Si, e a energia de formação ('E IND.f') das vacâncias variou entre 2,06eV e 2,90eV, dependendo da vizinhança dessa. Propusemos um modelo para a difusão de Ge nessa liga. O fato das vacâncias com mais átomos de Ge como vizinhos ter menor energia de formação, faz com que a difusão das vacâncias se dê por caminhos lembrando o Ge puro, ou seja, a tendência será de que os vizinhos dessa vacância sejam átomos de Ge, para ligas ricas em Ge: (ii) Superfícies: estudamos a adsorção de monômetros e dímeros de Ge sobre Si(100). Verificamos aque, para monômetros, podem existir diversos mínimos locais da superfície de energia potencial para a mesma posição (x, y) na superfície, cuja diferença está identificado em imagens teóricas de STM (Scanning Tuneling Microscopy) e propomos que isso seja verificado experimentalmente. Este tipo de efeito também ocorre com dímeros, sendo que isso já foi observado experimentalmente, mas com uma interpretação errônea. Através do nosso estudo podemos propor uma estrutura maiscondinzente com as imagens experimentais. O comportamento de átomos e dímeros de Si e Ge, mostramos que a adsorção se torna diferente quando somente dois átomos estão na superfície. Através desses resultados, propomos um modelo para explicar a reversão da rugosidade dos degraus diferentes o crescimento de Ge sobre Si(100); (iii) Impurezas de Mn em Si: analísamos o comportamento de ímpurezas de Mn no cristal de Si e sobre a superfície. No cristal, observamos que a ) superfície, existe um sítio substitucional que possui a mesma 'E IND.f' de sítio intersticial. Esse é um fato importante para o desenvolvimento de semicondutores ferromagnéticas à base de Si. Propomos um método para que esse fato seja verificado experimentalmente, através de imagens de STM
- Imprenta:
- Data da defesa: 11.08.2003
-
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/. Acesso em: 08 nov. 2024. -
APA
Dalpian, G. M. (2003). A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/ -
NLM
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/ -
Vancouver
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/ - CO2 reduction beyond Copper-based catalysts: a natural language processing review from the scientific literature
- Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100)
- Phase transitions in CsPbBr3: evaluating perovskite behavior over different time scales
- Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
