Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) (2000)
- Authors:
- Autor USP: DALPIAN, GUSTAVO MARTINI - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- DOI: 10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Keywords: CRESCIMENTO DE SEMICONDUTORES; GE SOBRE SI(100); METODO DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS; FIRST PRINCIPLES METHOD; GE ON SI(100); GROWTH OF SEMICONDUCTORS
- Language: Português
- Abstract: A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseudopotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruçõesdesta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. Adiferença está na configuração dos dímeros de 'SI' da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau deliberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de 'GE' sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem comoutros resultados teóricos e experimentais
- Imprenta:
- Data da defesa: 13.04.2000
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
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- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100). 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131. Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Dalpian, G. M. (2000). Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131 -
NLM
Dalpian GM. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131 -
Vancouver
Dalpian GM. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 27 ] Available from: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131 - A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores
- CO2 reduction beyond Copper-based catalysts: a natural language processing review from the scientific literature
- Impact of symmetry breaking and spin-orbit coupling on the band gap of halide perovskites
- Phase transitions in CsPbBr3: evaluating perovskite behavior over different time scales
- Alloying multiple halide perovskites on the same sublattice in search of stability and target band gaps
- Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131 (Fonte: oaDOI API)
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