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Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (2004)

  • Authors:
  • USP affiliated author: LAMAS, TOMAS ERIKSON - IF
  • School: IF
  • Sigla do Departamento: FEP
  • Subjects: FILMES FINOS; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; DISPOSITIVOS ÓPTICOS; SEMICONDUTORES; EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
  • Language: Português
  • Abstract: Durante as últimas décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta técnica de crescimento. Neste trabalho, estudamos, otimizamos e comparamos três diferentes métodos para a dopagem de camadas de GaAs do tipo p. Dois desses métodos exploraram o caráter anfotérico do silício em substratos de GaAs(311)A ( através da mudança das condições de crescimento) e GaAs(100) (aplicando uma nova técnica chamada epitaxia assistida por gotas (droplets) de gálio). O terceiro método foi baseado no uso do carbono, cujas propriedades como dopante do tipo p são bem conhecidas em outras técnicas de crescimento epitaxial, mas pouco estudadas na epitaxia por feixe molecular. Para verificar a qualidade das camadas dopadas obtidas, crescemos estruturas como poços quânticos parabólicos com alta mobilidade de buracos e dispositivos optoeletrônicos como diodos emissores e laseres.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.05.2004
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    How to cite
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    • ABNT

      LAMAS, Tomás Erikson; QUIVY, Alain André. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/ >.
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/


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