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Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Trabalho de evento-resumo
Designing realistic graphene-based spintronics devices (2010)
Rocha, A R; Martins, T B; Fazzio, A; Silva, A J R da
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROCHA, A R et al. Designing realistic graphene-based spintronics devices. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Rocha, A. R., Martins, T. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Designing realistic graphene-based spintronics devices. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
NLM
Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
Vancouver
Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia! (1996)
Barbosa, K O; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O e FAZZIO, A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Barbosa, K. O., & Fazzio, A. (1996). Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium (1996)
Venezuela, P P M; Fazzio, A
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M e FAZZIO, A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, v. 77, n. 3 , p. 546-9, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Venezuela, P. P. M., & Fazzio, A. (1996). Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, 77( 3 ), 546-9.
NLM
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 392-4, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1996). Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 392-4.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teorico de defeitos nativos em bn (1996)
Fazzio, A; Schmidt, T M; Piquini, P; Mota, R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., Schmidt, T. M., Piquini, P., & Mota, R. (1996). Estudo teorico de defeitos nativos em bn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium (1996)
Venezuela, P; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e FAZZIO, A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Venezuela, P., & Fazzio, A. (1996). Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model (1996)
Piquini, P; Dal Pino Junior, A; Fazzio, A
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e DAL PINO JUNIOR, A e FAZZIO, A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 277-9, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piquini, P., Dal Pino Junior, A., & Fazzio, A. (1996). Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 277-9.
NLM
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Germanium negative-u center in 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 53, n. 3 , p. 1315-21, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1996). Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, 53( 3 ), 1315-21.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
Silva, A. F.; Dantas, N S; Mota, F B; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7.
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito (1996)
Dantas, N S; Mota, F; Canuto, Sylvio; Fazzio, A; Alves, A; Pepe, I; Silva, A. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N S et al. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Dantas, N. S., Mota, F., Canuto, S., Fazzio, A., Alves, A., Pepe, I., & Silva, A. F. (1996). Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
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Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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