Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ADILSON JOSE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CANUTO, SYLVIO ROBERTO ACCIOLY - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
DANTAS, N S et al. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 30 set. 2024. -
APA
Dantas, N. S., Mota, F., Canuto, S., Fazzio, A., Alves, A., Pepe, I., & Silva, A. F. (1996). Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 30 ] -
Vancouver
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 set. 30 ] - Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors
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