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Artigo de periodico
Visible photoluminescence in amorphous 'ABO IND. 3' perovskites (2002)
Pizani, Paulo Sérgio; Basso, Heitor Cury; Lanciotti Junior Francesco; Boschi, T. M.; Pontes, F. M; Silva, Elson Longo da; Leite, Édson Roberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: EESC
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PIZANI, Paulo Sérgio et al. Visible photoluminescence in amorphous 'ABO IND. 3' perovskites. Applied Physics Letters, v. 81, n. 2, p. 253-255, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000002000253000001&idtype=cvips. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Pizani, P. S., Basso, H. C., Lanciotti Junior Francesco,, Boschi, T. M., Pontes, F. M., Silva, E. L. da, & Leite, É. R. (2002). Visible photoluminescence in amorphous 'ABO IND. 3' perovskites. Applied Physics Letters, 81( 2), 253-255. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000002000253000001&idtype=cvips
NLM
Pizani PS, Basso HC, Lanciotti Junior Francesco, Boschi TM, Pontes FM, Silva EL da, Leite ÉR. Visible photoluminescence in amorphous 'ABO IND. 3' perovskites [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 2): 253-255.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000002000253000001&idtype=cvips
Vancouver
Pizani PS, Basso HC, Lanciotti Junior Francesco, Boschi TM, Pontes FM, Silva EL da, Leite ÉR. Visible photoluminescence in amorphous 'ABO IND. 3' perovskites [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 2): 253-255.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000002000253000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Influence of the N-[methylpyridyl]acetamide ligands on the photoluminescent properties of Eu(III)-perchlorate complexes (2002)
Teotonio, Ercules Epaminondas de Sousa ; Espínola, José G. P.; Brito, Hermi Felinto de ; Malta, Oscar L ; Oliveira, Severino F.; Faria, Dalva Lúcia Araújo de ; Izumi, Celly M. S.
Source: Polyhedron. Unidade: IQ
Subjects: QUÍMICA INORGÂNICA, EURÓPIO, FOTOLUMINESCÊNCIA, TERRAS RARAS
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ABNT
TEOTONIO, Ercules Epaminondas de Sousa et al. Influence of the N-[methylpyridyl]acetamide ligands on the photoluminescent properties of Eu(III)-perchlorate complexes. Polyhedron, v. 21, n. 18, p. 1837-1844, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0277-5387(02)01032-x. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Teotonio, E. E. de S., Espínola, J. G. P., Brito, H. F. de, Malta, O. L., Oliveira, S. F., Faria, D. L. A. de, & Izumi, C. M. S. (2002). Influence of the N-[methylpyridyl]acetamide ligands on the photoluminescent properties of Eu(III)-perchlorate complexes. Polyhedron, 21( 18), 1837-1844. doi:10.1016/s0277-5387(02)01032-x
NLM
Teotonio EE de S, Espínola JGP, Brito HF de, Malta OL, Oliveira SF, Faria DLA de, Izumi CMS. Influence of the N-[methylpyridyl]acetamide ligands on the photoluminescent properties of Eu(III)-perchlorate complexes [Internet]. Polyhedron. 2002 ; 21( 18): 1837-1844.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0277-5387(02)01032-x
Vancouver
Teotonio EE de S, Espínola JGP, Brito HF de, Malta OL, Oliveira SF, Faria DLA de, Izumi CMS. Influence of the N-[methylpyridyl]acetamide ligands on the photoluminescent properties of Eu(III)-perchlorate complexes [Internet]. Polyhedron. 2002 ; 21( 18): 1837-1844.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0277-5387(02)01032-x
Artigo de periodico
Photoinduced photoluminescence intensity enhancement in poly(p-phenylene vinylene) films (2002)
Gobato, Yara Galvao; Marletta, Alexandre; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Souza, J M; Pereira, E C
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
GOBATO, Yara Galvao et al. Photoinduced photoluminescence intensity enhancement in poly(p-phenylene vinylene) films. Applied Physics Letters, v. 81, n. 5, p. 942-944, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1497198. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Gobato, Y. G., Marletta, A., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Souza, J. M., & Pereira, E. C. (2002). Photoinduced photoluminescence intensity enhancement in poly(p-phenylene vinylene) films. Applied Physics Letters, 81( 5), 942-944. doi:10.1063/1.1497198
NLM
Gobato YG, Marletta A, Faria RM, Guimarães FEG, Souza JM, Pereira EC. Photoinduced photoluminescence intensity enhancement in poly(p-phenylene vinylene) films [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ;81( 5): 942-944.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1497198
Vancouver
Gobato YG, Marletta A, Faria RM, Guimarães FEG, Souza JM, Pereira EC. Photoinduced photoluminescence intensity enhancement in poly(p-phenylene vinylene) films [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ;81( 5): 942-944.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1497198
Trabalho de evento-resumo
Estabilidade de substâncias húmicas avaliada por fotoluminescência (2002)
Milori, Debora Marcondes Bastos Pereira; Martin Neto, Ladislau; Bagnato, Vanderlei Salvador ; Bayer, Cimélio; Mielniczuk, João
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA ATÔMICA, FÍSICA MOLECULAR, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MILORI, Debora Marcondes Bastos Pereira et al. Estabilidade de substâncias húmicas avaliada por fotoluminescência. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Milori, D. M. B. P., Martin Neto, L., Bagnato, V. S., Bayer, C., & Mielniczuk, J. (2002). Estabilidade de substâncias húmicas avaliada por fotoluminescência. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Milori DMBP, Martin Neto L, Bagnato VS, Bayer C, Mielniczuk J. Estabilidade de substâncias húmicas avaliada por fotoluminescência. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Milori DMBP, Martin Neto L, Bagnato VS, Bayer C, Mielniczuk J. Estabilidade de substâncias húmicas avaliada por fotoluminescência. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates (2002)
Sales, F V de; Soler, M A G; Ugarte, D; Abramof, E; Quivy, A. A.; Silva, S W da; Martini, S; Moraes, P C; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SALES, F V de et al. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, v. 311, n. 3-4, p. 285-291, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Abramof, E., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, et al. (2002). Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, 311( 3-4), 285-291. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Dissertação (Mestrado)
Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (2002)
Zevallos Marques, Angela Maria Ortiz de; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
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ABNT
ZEVALLOS MARQUES, Angela Maria Ortiz de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Zevallos Marques, A. M. O. de. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Dissertação (Mestrado)
Processo de recombinação em pontos quânticos em amostras com diferentes espessuras de camadas de InAs utilizando a técnica de fotoluminescência (2002)
Duarte, Celso de Araújo; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO MOSSBAUER, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DUARTE, Celso de Araújo. Processo de recombinação em pontos quânticos em amostras com diferentes espessuras de camadas de InAs utilizando a técnica de fotoluminescência. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Duarte, C. de A. (2002). Processo de recombinação em pontos quânticos em amostras com diferentes espessuras de camadas de InAs utilizando a técnica de fotoluminescência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Duarte C de A. Processo de recombinação em pontos quânticos em amostras com diferentes espessuras de camadas de InAs utilizando a técnica de fotoluminescência. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Duarte C de A. Processo de recombinação em pontos quânticos em amostras com diferentes espessuras de camadas de InAs utilizando a técnica de fotoluminescência. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Porphyrin intercalation into a layered niobate derived from 'K IND. 4''Nb IND. 6''O IND. 17' (2002)
Bizeto, Marcos Augusto; Faria, Dalva Lúcia Araújo de ; Constantino, Vera Regina Leopoldo
Source: Journal of Materials Science. Unidade: IQ
Subjects: QUÍMICA INORGÂNICA, TROCA IÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, CATÁLISE, FÍSICO-QUÍMICA INORGÂNICA
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ABNT
BIZETO, Marcos Augusto e FARIA, Dalva Lúcia Araújo de e CONSTANTINO, Vera Regina Leopoldo. Porphyrin intercalation into a layered niobate derived from 'K IND. 4''Nb IND. 6''O IND. 17'. Journal of Materials Science, v. 37, n. 2, p. 265-270, 2002Tradução . . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Bizeto, M. A., Faria, D. L. A. de, & Constantino, V. R. L. (2002). Porphyrin intercalation into a layered niobate derived from 'K IND. 4''Nb IND. 6''O IND. 17'. Journal of Materials Science, 37( 2), 265-270.
NLM
Bizeto MA, Faria DLA de, Constantino VRL. Porphyrin intercalation into a layered niobate derived from 'K IND. 4''Nb IND. 6''O IND. 17'. Journal of Materials Science. 2002 ; 37( 2): 265-270.[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Bizeto MA, Faria DLA de, Constantino VRL. Porphyrin intercalation into a layered niobate derived from 'K IND. 4''Nb IND. 6''O IND. 17'. Journal of Materials Science. 2002 ; 37( 2): 265-270.[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Oliveira, J B B de
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Trabalho de evento-resumo
Aumento da fotoluminescência em flimes de PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morofologia da superfície por microscopia de força atômica (2002)
Vega, M. L.; Marletta, A; Rodrigues, C A; Mendonça, Cleber Renato ; Gobato, Y G; Costa, Luciano da Fontoura ; Faria, Roberto Mendonça
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VEGA, M. L. et al. Aumento da fotoluminescência em flimes de PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morofologia da superfície por microscopia de força atômica. 2002, Anais.. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Vega, M. L., Marletta, A., Rodrigues, C. A., Mendonça, C. R., Gobato, Y. G., Costa, L. da F., & Faria, R. M. (2002). Aumento da fotoluminescência em flimes de PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morofologia da superfície por microscopia de força atômica. In Resumos. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte.
NLM
Vega ML, Marletta A, Rodrigues CA, Mendonça CR, Gobato YG, Costa L da F, Faria RM. Aumento da fotoluminescência em flimes de PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morofologia da superfície por microscopia de força atômica. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Vega ML, Marletta A, Rodrigues CA, Mendonça CR, Gobato YG, Costa L da F, Faria RM. Aumento da fotoluminescência em flimes de PPV induzidos por foto-oxidação: um estudo da morofologia da superfície por microscopia de força atômica. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density (2002)
Sales, F V de; Silva, S W da; Monte, F G; Soler, M A G; Cruz, J M R; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Morais, P C
Source: Physica Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, v. 187, n. 7, p. 45-48, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Monte, F. G., Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Silva, M. J. da, et al. (2002). Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, 187( 7), 45-48. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fluorecência induzida por laser: uma alternativa para avaliar a matéria orgânica dos solos latossolos (2002)
González-Pérez, Martha ; Milori, Débora Marcondes Bastos Pereira; Martin Neto, Ladislau; Berton, Ronaldo; Camargo, Otávio A. de; Bettiol, Wagner; Bagnato, Vanderlei Salvador
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA ATÔMICA, FÍSICA MOLECULAR, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-PÉREZ, Martha et al. Fluorecência induzida por laser: uma alternativa para avaliar a matéria orgânica dos solos latossolos. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
González-Pérez, M., Milori, D. M. B. P., Martin Neto, L., Berton, R., Camargo, O. A. de, Bettiol, W., & Bagnato, V. S. (2002). Fluorecência induzida por laser: uma alternativa para avaliar a matéria orgânica dos solos latossolos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
González-Pérez M, Milori DMBP, Martin Neto L, Berton R, Camargo OA de, Bettiol W, Bagnato VS. Fluorecência induzida por laser: uma alternativa para avaliar a matéria orgânica dos solos latossolos. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
González-Pérez M, Milori DMBP, Martin Neto L, Berton R, Camargo OA de, Bettiol W, Bagnato VS. Fluorecência induzida por laser: uma alternativa para avaliar a matéria orgânica dos solos latossolos. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy (2002)
Martini, S; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S e QUIVY, A. A. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 359-361, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Martini, S., & Quivy, A. A. (2002). In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 359-361. doi:10.1590/s0103-97332002000200031
NLM
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031
Vancouver
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031
Tese (Doutorado)
Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001) (2002)
Martini, S.; Quivy, A. A. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FEIXES ÓPTICOS, ÓPTICA, ÁTOMOS, RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Martini, S. (2002). Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Martini S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Martini S. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
'nipi' delta-doping superlattices for amplitude modulation (2002)
Tribuzy, C V-B; Landi, S M; Pires, M P; Butendeich, R; Souza, P L; Bittencourt, A C; Marques, G E; Henriques, André Bohomoletz
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TRIBUZY, C V-B et al. 'nipi' delta-doping superlattices for amplitude modulation. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 269-274, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200006. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Tribuzy, C. V. -B., Landi, S. M., Pires, M. P., Butendeich, R., Souza, P. L., Bittencourt, A. C., et al. (2002). 'nipi' delta-doping superlattices for amplitude modulation. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 269-274. doi:10.1590/s0103-97332002000200006
NLM
Tribuzy CV-B, Landi SM, Pires MP, Butendeich R, Souza PL, Bittencourt AC, Marques GE, Henriques AB. 'nipi' delta-doping superlattices for amplitude modulation [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 269-274.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200006
Vancouver
Tribuzy CV-B, Landi SM, Pires MP, Butendeich R, Souza PL, Bittencourt AC, Marques GE, Henriques AB. 'nipi' delta-doping superlattices for amplitude modulation [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 269-274.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200006
Artigo de periodico
Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices (2002)
Hanamoto, L K; Henriques, André Bohomoletz; Tribuzy, C V B; Souza, P L; Yavich, B; Abramof, E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
HANAMOTO, L K et al. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 334-337, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Tribuzy, C. V. B., Souza, P. L., Yavich, B., & Abramof, E. (2002). Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 334-337. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Tribuzy CVB, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 334-337.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Tribuzy CVB, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Interfacial layers and impurity segregation in InP/'In IND.0.53''Ga IND.0.47'As superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 334-337.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_334.pdf
Artigo de periodico
Interchain luminescence in poly(acetoxy-p-phenylene vinylene) (2002)
Aguiar, M.; Fugihara, M. C.; Hümmelgen, Ivo Alexandre; Péres, Laura Oliveira; Garcia, Jarem Raul; Gruber, Jonas ; Akcelrud, Leni
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IQ
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
AGUIAR, M. et al. Interchain luminescence in poly(acetoxy-p-phenylene vinylene). Journal of Luminescence, v. 96, n. 2-4, p. 219-225, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-2313(01)00235-6. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Aguiar, M., Fugihara, M. C., Hümmelgen, I. A., Péres, L. O., Garcia, J. R., Gruber, J., & Akcelrud, L. (2002). Interchain luminescence in poly(acetoxy-p-phenylene vinylene). Journal of Luminescence, 96( 2-4), 219-225. doi:10.1016/s0022-2313(01)00235-6
NLM
Aguiar M, Fugihara MC, Hümmelgen IA, Péres LO, Garcia JR, Gruber J, Akcelrud L. Interchain luminescence in poly(acetoxy-p-phenylene vinylene) [Internet]. Journal of Luminescence. 2002 ; 96( 2-4): 219-225.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-2313(01)00235-6
Vancouver
Aguiar M, Fugihara MC, Hümmelgen IA, Péres LO, Garcia JR, Gruber J, Akcelrud L. Interchain luminescence in poly(acetoxy-p-phenylene vinylene) [Internet]. Journal of Luminescence. 2002 ; 96( 2-4): 219-225.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-2313(01)00235-6
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
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ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Trabalho de evento-anais periodico
Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation (2002)
Gobato, Y. G.; Marletta, Alexandre; De Souza, J. M.; Pereira, E.; Faria, Roberto Mendonça ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Molecular Crystals & Liquid Crystals. Conference titles: International Conference on Frontiers of Polymers and Advanced Materials. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOBATO, Y. G. et al. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. Lausanne: Gordon and Breach. . Acesso em: 31 out. 2024. , 2002
APA
Gobato, Y. G., Marletta, A., De Souza, J. M., Pereira, E., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2002). Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. Lausanne: Gordon and Breach.
NLM
Gobato YG, Marletta A, De Souza JM, Pereira E, Faria RM, Guimarães FEG. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. 2002 ; 374 497-502.[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Gobato YG, Marletta A, De Souza JM, Pereira E, Faria RM, Guimarães FEG. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. 2002 ; 374 497-502.[citado 2024 out. 31 ]

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