In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy (2002)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332002000200031
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 32, n. 2A, p. 359-361, 2002
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
MARTINI, S e QUIVY, A. A. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 359-361, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031. Acesso em: 14 out. 2024. -
APA
Martini, S., & Quivy, A. A. (2002). In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 359-361. doi:10.1590/s0103-97332002000200031 -
NLM
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031 -
Vancouver
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031 - Microscopio de tunelamento a ser usado no ar, no vacuo e no helio liquido
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97332002000200031 (Fonte: oaDOI API)
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