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Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001) (2002)

  • Authors:
  • Autor USP: MARTINI, SANDRO - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: FEIXES ÓPTICOS; ÓPTICA; ÁTOMOS; RAIOS X; FOTOLUMINESCÊNCIA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular assim como as propriedades ópticas e estruturais de camadas de InGaAs depositadas sobre substratos de GaAs(001) com diferentes ângulos e direções de corte. Um ênfase foi dada à investigação da segregação dos átomos de Índio que modifica consideravelmente o perfil de potencial das heteroestruturas e influencia as características dos dispositivos contendo este tipo de camadas. Um novo método experimental baseado em medidas de difração de elétrons de alta energia (RHEED) possibilitou a determinação 'in situ' e em tempo real do coeficiente de segregação dos átomos de Índio e, conseqüentemente, do perfil de composição das camadas de InGaAs. Medidas de raios X e de fotoluminescência em baixa temperatura foram realizadas em amostras de poços quânticos de InGaAs e confirmaram, a posteriori, os resultados obtidos pela técnica RHEED. Foi também demonstrado que o uso de substratos desorientados podia reduzir levemente o efeito de segregação e melhorar as propriedades ópticas das camadas em baixa temperatura
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 30.04.2002

  • How to cite
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    • ABNT

      MARTINI, S.; QUIVY, A. A. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002.
    • APA

      Martini, S., & Quivy, A. A. (2002). Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Martini S, Quivy AA. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;
    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de 'In IND. X' 'Ga IND. 1-X' acrescidas sobre substratos de GaAs (001). 2002 ;

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