Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332002000200017
- Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002
- Status:
- Artigo aberto em periódico híbrido (Hybrid Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017 -
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017 -
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017 - Magneto-optical studies of the correlation between interface microroughness parameters and the photoluminescence line shape in GaAs/'Ga IND.0.7''Al IND.0.3' Al quantum wells
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