AIA: band structure, energies at symmetry points (2009)
- Autor:
- Autor USP: SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Springer Berlin
- Local: Heidelberg
- Data de publicação: 2009
- Fonte:
- Título do periódico: New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-Vi compounds
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 44A, p. 170-171, 2009
-
ABNT
SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da. AIA: band structure, energies at symmetry points. New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-Vi compounds. Tradução . Heidelberg: Springer Berlin, 2009. v. 44A. p. 170-171. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Silva, E. C. F. da. (2009). AIA: band structure, energies at symmetry points. In New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-Vi compounds (Vol. 44A, p. 170-171). Heidelberg: Springer Berlin. -
NLM
Silva ECF da. AIA: band structure, energies at symmetry points. In: New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-Vi compounds. Heidelberg: Springer Berlin; 2009. p. 170-171.[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Silva ECF da. AIA: band structure, energies at symmetry points. In: New data and updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-Vi compounds. Heidelberg: Springer Berlin; 2009. p. 170-171.[citado 2024 set. 19 ] - Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well
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