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  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
    • NLM

      Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
    • Vancouver

      Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
  • Unidade: EP

    Subjects: INSTRUMENTAÇÃO ELÉTRICA, AUTOMAÇÃO INDUSTRIAL, MEDIDAS ELÉTRICAS, METROLOGIA

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    • ABNT

      MAYOR HERRERA, César Augusto. Obtenção em larga escala de transmissores de pressão piezoresistivos de alto desempenho. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16122014-160434/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Mayor Herrera, C. A. (2013). Obtenção em larga escala de transmissores de pressão piezoresistivos de alto desempenho (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16122014-160434/
    • NLM

      Mayor Herrera CA. Obtenção em larga escala de transmissores de pressão piezoresistivos de alto desempenho [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16122014-160434/
    • Vancouver

      Mayor Herrera CA. Obtenção em larga escala de transmissores de pressão piezoresistivos de alto desempenho [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16122014-160434/
  • Unidade: EP

    Subjects: REDES NEURAIS, INSTRUMENTAÇÃO ELÉTRICA, MEDIDAS ELÉTRICAS, ELETROQUÍMICA INDUSTRIAL, MÉTODOS ESTATÍSTICOS PARA APRENDIZAGEM, SENSOR

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    • ABNT

      BARBOSA, Itamar Magno. Estudo das dispersões metrológicas em redes neurais artificiais do tipo Multilayer Perceptrons através da aplicação em curvas de calibração. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-12082010-113757/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Barbosa, I. M. (2009). Estudo das dispersões metrológicas em redes neurais artificiais do tipo Multilayer Perceptrons através da aplicação em curvas de calibração (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-12082010-113757/
    • NLM

      Barbosa IM. Estudo das dispersões metrológicas em redes neurais artificiais do tipo Multilayer Perceptrons através da aplicação em curvas de calibração [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-12082010-113757/
    • Vancouver

      Barbosa IM. Estudo das dispersões metrológicas em redes neurais artificiais do tipo Multilayer Perceptrons através da aplicação em curvas de calibração [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-12082010-113757/
  • Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
    • NLM

      Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
    • Vancouver

      Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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      SOUZA, Michelly de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Souza, M. de. (2008). Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
    • NLM

      Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
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      Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
  • Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), POLÍMEROS (MATERIAIS)

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      SANTOS, João Claudio de Brito. Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-184737/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Santos, J. C. de B. (2007). Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-184737/
    • NLM

      Santos JC de B. Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-184737/
    • Vancouver

      Santos JC de B. Estudo de camadas transportadoras de cargas em diodos emissores de luz poliméricos [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-184737/
  • Unidade: EP

    Subjects: DIODOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PESTANA, Ricardo. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Pestana, R. (2006). Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
    • NLM

      Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
    • Vancouver

      Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
  • Unidade: EP

    Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA), MEDIDAS ELÉTRICAS, ESPECTROMETRIA, ARGÔNIO, SILÍCIO, CORROSÃO

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RODRIGUES, Bruno da Silva. Plasmas fluorados com acoplamento indutivo. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26052006-114707/. Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Rodrigues, B. da S. (2006). Plasmas fluorados com acoplamento indutivo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26052006-114707/
    • NLM

      Rodrigues B da S. Plasmas fluorados com acoplamento indutivo [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26052006-114707/
    • Vancouver

      Rodrigues B da S. Plasmas fluorados com acoplamento indutivo [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26052006-114707/
  • Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      SOUZA, Michelly de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 15 ago. 2024.
    • APA

      Souza, M. de. (2005). Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 ago. 15 ]
    • Vancouver

      Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 ago. 15 ]

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