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Artigo de periodico
Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals (2009)
Huanca, Danilo Roque ; Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA
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ABNT
HUANCA, Danilo Roque e RAIMUNDO, Daniel Scodeler e SALCEDO, Walter Jaimes. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 744-748, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Huanca, D. R., Raimundo, D. S., & Salcedo, W. J. (2009). Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 744-748. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.005
NLM
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Vancouver
Huanca DR, Raimundo DS, Salcedo WJ. Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 744-748.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.005
Artigo de periodico
Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres (2009)
Macatrão, M.; Peres, M.; Rubinger, Carla Patricia Lacerda; Soares, M. J.; Costa, L. C.; Costa, F. M.; Monteiro, T.; Franco, N.; Alves, E.; Saggioro, Bruno Zaniboni; Andreeta, Marcello Rubens Barsi ; Hernandes, Antônio Carlos
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, FIBRAS (ESTUDO), TÂNTALO, TERRAS RARAS
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ABNT
MACATRÃO, M. et al. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, v. 40, n. 2, p. 309-312, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Macatrão, M., Peres, M., Rubinger, C. P. L., Soares, M. J., Costa, L. C., Costa, F. M., et al. (2009). Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, 40( 2), 309-312. doi:10.1016/j.mejo.2008.07.033
NLM
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Vancouver
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Artigo de periodico
Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis (2009)
Raimundo, Daniel Scodeler; Calíope, Priscila Braga; Huanca, Danilo Roque ; Salcedo, Walter Jaimes
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAIMUNDO, Daniel Scodeler et al. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, v. 40, n. 4-5, p. 844-847, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Raimundo, D. S., Calíope, P. B., Huanca, D. R., & Salcedo, W. J. (2009). Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis. Microelectronics Journal, 40( 4-5), 844-847. doi:10.1016/j.mejo.2008.11.024
NLM
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Vancouver
Raimundo DS, Calíope PB, Huanca DR, Salcedo WJ. Anodic porous alumina structural characteristics study based on SEM image processing and analysis [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 4-5): 844-847.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.11.024
Artigo de periodico
Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel (2008)
Garzon, Carlos Mario; Alfonso Jose E; Corredor, Edna C; Recco, Abel André Cândido ; Tschiptschin, André Paulo
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assuntos: TITÂNIO, LIGAS NÃO FERROSAS
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ABNT
GARZON, Carlos Mario et al. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, v. 39, p. 1329-1330, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Garzon, C. M., Alfonso Jose E,, Corredor, E. C., Recco, A. A. C., & Tschiptschin, A. P. (2008). Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, 39, 1329-1330. doi:10.1016/j.mejo.2008.01.047
NLM
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Vancouver
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Artigo de periodico
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices (2005)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA JUNIOR, E. F. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, v. 36, n. Ju 2005, p. 434-437, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, 36( Ju 2005), 434-437. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.041
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells (2005)
D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Nome do evento: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
D'EURYDICE, Marcel Nogueira et al. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 23 ]
Vancouver
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 23 ]
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-anais periodico
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications (2005)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Fonte: Microelectronics Journal. Nome do evento: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 23 out. 2025. , 2005
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 23 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 23 ]
Artigo de periodico
Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces (2004)
Marega Junior, Euclydes ; Oliveira, R. M.; Souza, C. A.; Arakaki, Haroldo; González-Borrero, P. P.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MAREGA JUNIOR, Euclydes et al. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, v. 35, n. Ja 2004, p. 41-43, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Marega Junior, E., Oliveira, R. M., Souza, C. A., Arakaki, H., & González-Borrero, P. P. (2004). Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, 35( Ja 2004), 41-43. doi:10.1016/s0026-2692(03)00221-0
NLM
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Vancouver
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Artigo de periodico
High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films (2003)
Mousinho, Ana Paula; Mansano, Ronaldo Domingues ; Massi, Marcos; Zambom, Luís da Silva
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOUSINHO, Ana Paula et al. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 627-629, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Mousinho, A. P., Mansano, R. D., Massi, M., & Zambom, L. da S. (2003). High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 627-629. doi:10.1016/s0026-2692(03)00065-x
NLM
Mousinho AP, Mansano RD, Massi M, Zambom L da S. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 627-629.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x
Vancouver
Mousinho AP, Mansano RD, Massi M, Zambom L da S. High density plasma chemical vapor deposition of diamond-like carbon films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 627-629.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00065-x
Artigo de periodico
The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films (2003)
Guerino, M.; Massi, Marcos; Maciel, Homero Santiago; Otani, C.; Mansano, Ronaldo Domingues
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUERINO, M. et al. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Guerino, M., Massi, M., Maciel, H. S., Otani, C., & Mansano, R. D. (2003). The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films. Microelectronics Journal, 34( 5-8). doi:10.1016/s0026-2692(03)00079-x
NLM
Guerino M, Massi M, Maciel HS, Otani C, Mansano RD. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8):[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x
Vancouver
Guerino M, Massi M, Maciel HS, Otani C, Mansano RD. The effects of the nitrogen on the electrical and structural properties of the diamond-like carbon (DLC) films [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8):[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00079-x
Artigo de periodico
Correlation energy of coupled double electron layers (2003)
Candido, L.; Hai, Guo-Qiang
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANDIDO, L. e HAI, Guo-Qiang. Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5/8, p. 569-570, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Candido, L., & Hai, G. -Q. (2003). Correlation energy of coupled double electron layers. Microelectronics Journal, 34( 5/8), 569-570. doi:10.1016/s0026-2692(03)00050-8
NLM
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8
Vancouver
Candido L, Hai G-Q. Correlation energy of coupled double electron layers [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5/8): 569-570.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00050-8
Artigo de periodico
Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface (2002)
Tutor-Sanchez, Joaquín; Hernandez-Calderon, Isaac; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TUTOR-SANCHEZ, Joaquín e HERNANDEZ-CALDERON, Isaac e LEITE, J. R. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 311, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Tutor-Sanchez, J., Hernandez-Calderon, I., & Leite, J. R. (2002). Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, 33( 4), 311. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2025 out. 23 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 23 out. 2025.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 out. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1

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