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Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Ab initio Calculations of the Vibrational Modes of 'alfa'-Glycine (2005)
Leite Alves, H W; Caetano, E W S; Scolfato, L M R; Flores, M Z S; Freire, V N; Farias, G A; Bezerra, G A; Cavada, B S; Oliveira, M C S; Pinheiro, J. A; Lima Filho, J L de
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DETETORES
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ABNT
LEITE ALVES, H W et al. Ab initio Calculations of the Vibrational Modes of 'alfa'-Glycine. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-4.pdf. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Leite Alves, H. W., Caetano, E. W. S., Scolfato, L. M. R., Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Farias, G. A., et al. (2005). Ab initio Calculations of the Vibrational Modes of 'alfa'-Glycine. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-4.pdf
NLM
Leite Alves HW, Caetano EWS, Scolfato LMR, Flores MZS, Freire VN, Farias GA, Bezerra GA, Cavada BS, Oliveira MCS, Pinheiro JA, Lima Filho JL de. Ab initio Calculations of the Vibrational Modes of 'alfa'-Glycine [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-4.pdf
Vancouver
Leite Alves HW, Caetano EWS, Scolfato LMR, Flores MZS, Freire VN, Farias GA, Bezerra GA, Cavada BS, Oliveira MCS, Pinheiro JA, Lima Filho JL de. Ab initio Calculations of the Vibrational Modes of 'alfa'-Glycine [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-4.pdf
Trabalho de evento-resumo
Can the III-Nitrides form polytypes (2005)
Silva, C C; Leite Alves, H W; Scolfato, L M R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, C C e LEITE ALVES, H W e SCOLFATO, L M R. Can the III-Nitrides form polytypes. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Silva, C. C., Leite Alves, H. W., & Scolfato, L. M. R. (2005). Can the III-Nitrides form polytypes. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
NLM
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Vancouver
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs (2004)
Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, I. C. da Cunha; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., & Scolfaro, L. M. R. (2004). Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. In Programa e Livro de Resumos. São Carlos: SBPMat.
NLM
Rodrigues SCP, Silva Junior EF, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Silva Junior EF, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2025 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys (2003)
Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Teles, Lara K; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro et al. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2003). Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR, Ferreira LG. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR, Ferreira LG. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2025 out. 31 ]
Artigo de periodico
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices (2002)
Rodrigues, Sara C P; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos ; Noriega, O C; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos ; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
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ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2025 out. 31 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics:Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA ESTATÍSTICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, v. 13, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, 13, 3381-3387. doi:10.1088/0953-8984/13/14/311
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo (1998)
Marques, M; Scolfaro, L M R
Source: Engenharias e exatas. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M e SCOLFARO, L M R. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. 1998, Anais.. São Paulo: USP, 1998. . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. In Engenharias e exatas. São Paulo: USP.
NLM
Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR. Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo. Engenharias e exatas. 1998 ;[citado 2025 out. 31 ]
Artigo de periodico
Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells (1998)
Lino, A T; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
NLM
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Vancouver
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Artigo de periodico
Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors (1998)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, v. 80, n. 14, p. 3160, 1998Tradução . . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters, 80( 14), 3160.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Reply to the comment on the paper density functional theory for holes in semiconductors. Physical Review Letters. 1998 ; 80( 14): 3160.[citado 2025 out. 31 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Microelectronic Engineering. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 31 out. 2025. , 1998
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2025 out. 31 ]
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, Alexandre ; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, Alexandre et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2025 out. 31 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures (1998)
Tabata, A; Levine, Alexandre ; Marti ceschin, A; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
TABATA, A et al. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 31 out. 2025. , 1998
APA
Tabata, A., Levine, A., Marti ceschin, A., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
NLM
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2025 out. 31 ]
Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, Alexandre
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2025 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2025 out. 31 ]
Artigo de periodico
Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN' (1998)
Rodrigues, S C P; Rosa, A L; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Beliaev, Dmitri; Leite, J. R.; Enderlein, R; Alves, J L A
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology, v. 13, p. 981-988, 1998Tradução . . Acesso em: 31 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Leite, J. R., Enderlein, R., & Alves, J. L. A. (1998). Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology, 13, 981-988.
NLM
Rodrigues SCP, Rosa AL, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR, Enderlein R, Alves JLA. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13 981-988.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Rosa AL, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR, Enderlein R, Alves JLA. Miniband structures and effective masses of n-type 'delta'-doping superlattices in 'GaN'. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13 981-988.[citado 2025 out. 31 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study (1998)
Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Tabata, A; Lischka, K; Schikora, D; Bechstedt, F
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 31 out. 2025. , 1998
APA
Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing.
NLM
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2025 out. 31 ]
Vancouver
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2025 out. 31 ]

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