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Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Artigo de periodico
Trends in the metastability of dx-centers (1995)
Schmidt, T M; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 273-8, 1995Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1995). Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum, 196-201, 273-8.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 273-8.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Trends in the metastability of dx-centers. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 273-8.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento
Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors (1985)
Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Fazzio, A. (1985). Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio (1988)
Lima, G A R; Mota, R.; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
LIMA, G A R e MOTA, R. e FAZZIO, A. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Lima, G. A. R., Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima GAR, Mota R, Fazzio A. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Lima GAR, Mota R, Fazzio A. Transicao metal-semicondutor em hidreto de cesio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos (1995)
Mota, R.; Cechin, J C; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, R. et al. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Mota, R., Cechin, J. C., Canuto, S., & Fazzio, A. (1995). Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Theory of interstitial transition atoms in gaas (1987)
Scolfaro, L M R; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, v. 36, n. 14, p. 7542-8, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1987). Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, 36( 14), 7542-8. doi:10.1103/physrevb.36.7542
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 13 maio 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra, electronic and geometric structures (1993)
Watari, K.; Kintop, J; Lima, G A R; Fazzio, A
Source: Abstracts. Conference titles: International Interdisciplinary Colloquium on the Science and Technology of the Fullerenes. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
WATARI, K. et al. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra, electronic and geometric structures. 1993, Anais.. New York: Pergamon Press, 1993. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Watari, K., Kintop, J., Lima, G. A. R., & Fazzio, A. (1993). Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra, electronic and geometric structures. In Abstracts. New York: Pergamon Press.
NLM
Watari K, Kintop J, Lima GAR, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra, electronic and geometric structures. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Watari K, Kintop J, Lima GAR, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra, electronic and geometric structures. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures (1993)
Lima, G A R; Watari, K.; Kintop, J; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, G A R et al. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. 1993, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Lima, G. A. R., Watari, K., Kintop, J., & Fazzio, A. (1993). Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima GAR, Watari K, Kintop J, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Lima GAR, Watari K, Kintop J, Fazzio A. Theoretical study of 'TI IND.8''C IND.12': optical spectra , electronic and geometric structures. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7' (1991)
Lima, G A R; Fazzio, A; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, G A R e FAZZIO, A e MOTA, R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications, v. 78, p. 91-3, 1991Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Lima, G. A. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1991). Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications, 78, 91-3.
NLM
Lima GAR, Fazzio A, Mota R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications. 1991 ;78 91-3.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Lima GAR, Fazzio A, Mota R. Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'. Solid State Communications. 1991 ;78 91-3.[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the electronic structure and absorption spectra of carbon cluster nanotubes (1994)
Lima, G A R; Kintop, J A; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Nanostructured Materials. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, G A R et al. Theoretical investigation of the electronic structure and absorption spectra of carbon cluster nanotubes. Nanostructured Materials, v. 4 , p. 11, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0965-9773(94)90123-6. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Lima, G. A. R., Kintop, J. A., Fazzio, A., & Canuto, S. (1994). Theoretical investigation of the electronic structure and absorption spectra of carbon cluster nanotubes. Nanostructured Materials, 4 , 11. doi:10.1016/0965-9773(94)90123-6
NLM
Lima GAR, Kintop JA, Fazzio A, Canuto S. Theoretical investigation of the electronic structure and absorption spectra of carbon cluster nanotubes [Internet]. Nanostructured Materials. 1994 ;4 11.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0965-9773(94)90123-6
Vancouver
Lima GAR, Kintop JA, Fazzio A, Canuto S. Theoretical investigation of the electronic structure and absorption spectra of carbon cluster nanotubes [Internet]. Nanostructured Materials. 1994 ;4 11.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0965-9773(94)90123-6
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' (1986)
Caldas, Marília Junqueira; Figueiredo, S K; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FIGUEIREDO, S K e FAZZIO, A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 33, n. 10, p. 7102-9, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Caldas, M. J., Figueiredo, S. K., & Fazzio, A. (1986). Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, 33( 10), 7102-9. doi:10.1103/physrevb.33.7102
NLM
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102
Vancouver
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102
Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Terras raras em gap (1985)
Azevedo, T C A M; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AZEVEDO, T C A M e FAZZIO, A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 13 maio 2024. , 1985
APA
Azevedo, T. C. A. M., & Fazzio, A. (1985). Terras raras em gap. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 13 ]
Parte de monografia/livro
Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in gallium arsenide. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles (1994)
Piquini, P; Fazzio, A; Dal Pino Junior, A
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e DAL PINO JUNIOR, A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Surface Science, v. 313, p. 41-51, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Dal Pino Junior, A. (1994). Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Surface Science, 313, 41-51. doi:10.1016/0039-6028(94)91155-x
NLM
Piquini P, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles [Internet]. Surface Science. 1994 ;313 41-51.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Dal Pino Junior A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles [Internet]. Surface Science. 1994 ;313 41-51.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91155-x
Trabalho de evento-resumo
Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles (1994)
Piquini, P; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Piquini, P., & Fazzio, A. (1994). Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini P, Fazzio A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Piquini P, Fazzio A. Studies of the local reactivity of surfaces using chemical based principles. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323

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