Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' (1986)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.33.7102
- Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.33, n.10, p.7102-9, 1986
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira e FIGUEIREDO, S K e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 33, n. 10, p. 7102-9, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Caldas, M. J., Figueiredo, S. K., & Fazzio, A. (1986). Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, 33( 10), 7102-9. doi:10.1103/physrevb.33.7102 -
NLM
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102 -
Vancouver
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102 - Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.33.7102 (Fonte: oaDOI API)
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