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Tese (Doutorado)
Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (2023)
Zeidan, Ahmad Al ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
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ABNT
ZEIDAN, Ahmad Al. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Zeidan, A. A. (2023). Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
NLM
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Vancouver
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Tese (Doutorado)
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Santos, T. B. dos. (2023). Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
NLM
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Vancouver
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Artigo de periodico
Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure (2023)
Izquierdo, Jose Enrique Eirez ; Cavallari, Marco Roberto ; García, Dennis Cabrera ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
IZQUIERDO, Jose Enrique Eirez et al. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, v. 23, n. 18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23187981. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Izquierdo, J. E. E., Cavallari, M. R., García, D. C., Fonseca, F. J., & Quivy, A. A. (2023). Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, 23( 18). doi:10.3390/s23187981
NLM
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Vancouver
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Dissertação (Mestrado)
Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (2023)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O. (2023). Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
NLM
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Vancouver
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Tese (Doutorado)
Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (2023)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL, INSTRUMENTO ÓPTICO
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ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Cantalice, T. F. de. (2023). Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
NLM
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
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Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Trabalho de evento-anais periodico
Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles (2022)
Pereira, M S; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Physics: Conference Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
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ABNT
PEREIRA, M S et al. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2022
APA
Pereira, M. S., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G. P. N., & Quivy, A. A. (2022). Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012050
NLM
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Vancouver
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Fonte: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Trabalho de evento-resumo
Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots (2020)
Cantalice, Tiago Fernandes de; Al-Zeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de e AL-ZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Cantalice, T. F. de, Al-Zeidan, A., & Quivy, A. A. (2020). Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
NLM
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Vancouver
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells (2020)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Fernandes, Paulo Henrique Diniz; Al-Zeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Fernandes, P. H. D., Al-Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Relatorio tecnico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2020)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz ; Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André ; Abramof, E
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2020
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Artigo de periodico
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A. L.; Cantalice, T. F.; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul
Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA MODERNA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, SUPERFÍCIES, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO), ARSÊNIO
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ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, v. 4, n. 11, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Cantalice, T. F., Quivy, A. A., & koenraad, P. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, 4( 11). doi:10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Relatorio tecnico
On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system (2020)
Avanci, L H; Remedios, C M R; Quivy, Alain André ; Morelhão, Sergio Luiz
Unidade: IF
Assunto: DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
AVANCI, L H et al. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2020
APA
Avanci, L. H., Remedios, C. M. R., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2020). On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
NLM
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Vancouver
Avanci LH, Remedios CMR, Quivy AA, Morelhão SL. On the high accuracy lattice parameters determination by n-beam diffraction: Theory and application to the InAs quantum dots grown over GaAs(001) substrate system [Internet]. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0411508.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais (2020)
Santos, Thales Borrely dos; Pereira, André L. de Jesus; Leite, Douglas M. G.; Silva Sobrinho, Argemiro S. da; Quivy, Alain André ; Camargo, Davi H. Starnini de; Bufon, Carlos C. Bof
Fonte: Anais CBENS 2020. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Energia Solar. Unidade: IF
Assuntos: ENERGIA SOLAR, CÉLULAS SOLARES, SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Disponível em: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2020
APA
Santos, T. B. dos, Pereira, A. L. de J., Leite, D. M. G., Silva Sobrinho, A. S. da, Quivy, A. A., Camargo, D. H. S. de, & Bufon, C. C. B. (2020). Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Recuperado de https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
NLM
Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
Vancouver
Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
Artigo de periodico
Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well (2020)
Naranjo, A.; Bragança, H.; Jacobsen, G. M.; Morais, R. R. O. de; Quivy, Alain André ; Marques, G. E.; Lopez-Richard, V.; Teodoro, M. D.
Fonte: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SPIN, ASSIMETRIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NARANJO, A. et al. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599. Acesso em: 27 jun. 2025.
APA
Naranjo, A., Bragança, H., Jacobsen, G. M., Morais, R. R. O. de, Quivy, A. A., Marques, G. E., et al. (2020). Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. doi:10.1016/j.physe.2020.114599
NLM
Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
Vancouver
Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
Trabalho de evento-anais periodico
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy (2019)
Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Fonte: IEEE. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412. Acesso em: 27 jun. 2025. , 2019
APA
Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919412
NLM
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Vancouver
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2025 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412

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