ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento
Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations (2006)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2006). Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0899-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase (2004)
Garcia, Joelson Cott; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Faria, G A
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Faria, G. A. (2004). Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Trabalho de evento-resumo
Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic (2004)
Garcia, J C; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, J C et al. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Farias, G. A. (2004). Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Artigo de periodico
Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" (2004)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lino, A T; Freire, V N; Farias, G A; Silva, Junior, E F da
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells (1998)
Lino, A T; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
NLM
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Vancouver
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Artigo de periodico
Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields (1997)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K e LINO, A T e SCÓLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997Tradução . . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Scólfaro, L. M. R. (1997). Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, 11( 9), 1195-1207.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados (1996)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' (1995)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos (1994)
Takahashi, E K; Lino, A T; Schmidt, T M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores (1994)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Artigo de periodico
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS' (1994)
Scolfaro, L M R; Lino, A T; Takahashi, E; Leite, J. R.
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, v. s28, p. 667-73, 1994Tradução . . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Takahashi, E., & Leite, J. R. (1994). Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, s28, 667-73.
NLM
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio (1993)
Lino, A T; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1993). Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon (1990)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Nome do evento: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Artigo de periodico
Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method (1990)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, v. 41, n. 3 , p. 1691-4, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1990). Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, 41( 3 ), 1691-4. doi:10.1103/physrevb.41.1691
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Artigo de periodico
Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional (1988)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1988). Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio (1988)
Lino, A T; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Artigo de periodico
Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium (1988)
Lino, A T; Takahashi, E K; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Fonte: Revista Brasileira de Fisica. Unidade: IF
Assunto: SÓDIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, v. 18, n. 1 , p. 11-29, 1988Tradução . . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1988). Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, 18( 1 ), 11-29.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2025 nov. 23 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Ano de publicação

Assuntos

Título da fonte

Nome do evento