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Artigo de periodico
Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon (1988)
Hahn, S; Ponce, F A; Tiller, W A; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, v. 64, n. 9 , p. 4454-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.341268. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Hahn, S., Ponce, F. A., Tiller, W. A., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., & Castro Junior, W. E. (1988). Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, 64( 9 ), 4454-65. doi:10.1063/1.341268
NLM
Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
Vancouver
Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
Artigo de periodico
Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon (1987)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Ponce, F A; Hahn, S; Tiller, W A
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Artigo de periodico
Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si (1987)
Hahn, S; Arst, M; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Tiller, W A
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, v. 50, n. 7 , p. 401-3, 1987Tradução . . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Hahn, S., Arst, M., Rek, Z. U., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., & Tiller, W. A. (1987). Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, 50( 7 ), 401-3.
NLM
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers (1986)
Hahn, S; Shatas, S; Stein, H J; Arst, M; Sadana, D K; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 01 maio 2026. , 1986
APA
Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x (1986)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Pimentel, C A; Hahn, S
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. 1986, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Pimentel, C. A., & Hahn, S. (1986). Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Pimentel CA, Hahn S. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Pimentel CA, Hahn S. Estudo da cinetica de precipitacao do oxigenio em monocristais de si: b a partir de tecnicas de raios-x. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x (1986)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Hahn, S
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 01 maio 2026. , 1986
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., & Hahn, S. (1986). Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Hahn S. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Hahn S. Caracterizacao de defeitos em monocristais de silicio com tecnicas de raios x. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2026 maio 01 ]
Trabalho de evento
Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon (1986)
Stojanoff, Vivian; Pimentel, C A; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Hahn, S; Ponce, F A
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon Materials Science and Technology: Semiconductor Silicon. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STOJANOFF, Vivian et al. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. 1986, Anais.. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1986. . Acesso em: 01 maio 2026.
APA
Stojanoff, V., Pimentel, C. A., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Hahn, S., & Ponce, F. A. (1986). Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. In Proceedings. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 maio 01 ]
Vancouver
Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 maio 01 ]

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