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Artigo de periodico
Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments (2021)
Vilas Bôas, Alexis C.; Melo, M.A.A. de; Santos, R. B. B.; Giacomini, R.; Medina, Nilberto H. ; Seixas, L. E.; Finco, S.; Palomo, F. R.; Romero-Maestre, A.; Guazzelli, Marcilei A.
Fonte: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, RADIAÇÃO IONIZANTE, ELETRÔNICA QUÂNTICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
VILAS BÔAS, Alexis C. et al. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, v. 116, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Vilas Bôas, A. C., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2021). Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, 116. doi:10.1016/j.microrel.2020.114000
NLM
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000
Vancouver
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000
Trabalho de evento-resumo
Single event effects studies on 3N163 MOSFET (2014)
Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Seixas Jr, L.E.; Silveira, M.A.G.; Santos, R.B.; Melo, M.A.A.; Giacomini, R.; Leite, F.G.; Cunha, F.G.; Oliveira, J.A.; Rallo, A.; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Aguirre, Fernando Rodrigues; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala
Fonte: SBF. Nome do evento: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ACELERADOR DE PARTÍCULAS
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ABNT
AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Single event effects studies on 3N163 MOSFET. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Aguiar, V. Â. P. de, Seixas Jr, L. E., Silveira, M. A. G., Santos, R. B., Melo, M. A. A., Giacomini, R., et al. (2014). Single event effects studies on 3N163 MOSFET. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
NLM
Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
Vancouver
Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Brazilian facilities to study radiation effects in electronic devices (2013)
Medina, Nilberto H. ; Guazzelli, Marcilei Aparecida ; Added, Nemitala ; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Aguirre, F.; Giacomini, R.; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Melo, M. A. A.; Oliveira, J. A.; Santos, R. B. B.; Seixas, L. E.; Tabacniks, Manfredo
Fonte: IEEE Xplore. Nome do evento: European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS). Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ACELERADOR DE PARTÍCULAS, RAIOS X
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ABNT
MEDINA, Nilberto H. et al. Brazilian facilities to study radiation effects in electronic devices. IEEE Xplore. New York: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1109/RADECS.2013.6937368. Acesso em: 14 out. 2025. , 2013
APA
Medina, N. H., Guazzelli, M. A., Added, N., Aguiar, V. Â. P. de, Aguirre, F., Giacomini, R., et al. (2013). Brazilian facilities to study radiation effects in electronic devices. IEEE Xplore. New York: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/RADECS.2013.6937368
NLM
Medina NH, Guazzelli MA, Added N, Aguiar VÂP de, Aguirre F, Giacomini R, Macchione ELA, Melo MAA, Oliveira JA, Santos RBB, Seixas LE, Tabacniks M. Brazilian facilities to study radiation effects in electronic devices [Internet]. IEEE Xplore. 2013 ;07.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/RADECS.2013.6937368
Vancouver
Medina NH, Guazzelli MA, Added N, Aguiar VÂP de, Aguirre F, Giacomini R, Macchione ELA, Melo MAA, Oliveira JA, Santos RBB, Seixas LE, Tabacniks M. Brazilian facilities to study radiation effects in electronic devices [Internet]. IEEE Xplore. 2013 ;07.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/RADECS.2013.6937368
Artigo de periodico
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs (2010)
Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R.; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS
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ABNT
BÜHLER, Rudolf Theoderich e GIACOMINI, R. e MARTINO, João Antonio. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 21-28, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474138. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Bühler, R. T., Giacomini, R., & Martino, J. A. (2010). Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 21-28. doi:10.1149/1.3474138
NLM
Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138
Vancouver
Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

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