Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments (2021)
- Authors:
- Autor USP: MEDINA, NILBERTO HEDER - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.microrel.2020.114000
- Subjects: FÍSICA NUCLEAR; RADIAÇÃO IONIZANTE; ELETRÔNICA QUÂNTICA; NANOTECNOLOGIA
- Keywords: TID; Radiation effects; GaN; HEMT
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Microelectronics Reliability
- ISSN: 0026-2714
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 116, janeiro de 2021, número do artigo: 114000
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
VILAS BÔAS, Alexis C. et al. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, v. 116, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000. Acesso em: 25 fev. 2026. -
APA
Vilas Bôas, A. C., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2021). Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, 116. doi:10.1016/j.microrel.2020.114000 -
NLM
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2026 fev. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000 -
Vancouver
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2026 fev. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000 - New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.microrel.2020.114000 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0026271420308878-... | Direct link |
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