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Artigo de periodico
Fano resonance in heavily doped porous silicon (2011)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. D.; Borrero-González, L. J.; Acquaroli, L. N.; Urteaga, R.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Tirado, M.; Comedi, D.
Source: Journal of Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Subjects: ESPALHAMENTO, LUMINESCÊNCIA, SILÍCIO, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, v. 42, n. 6, p. 1405-1407, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.2870. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Borrero-González, L. J., Acquaroli, L. N., Urteaga, R., Arce, R. D., et al. (2011). Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, 42( 6), 1405-1407. doi:10.1002/jrs.2870
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Trabalho de evento-resumo
Elastic relaxation of porous silicon (2008)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Comedi, D.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, SILICONE, ELASTICIDADE (PROPRIEDADES), FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Elastic relaxation of porous silicon. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2008). Elastic relaxation of porous silicon. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Trabalho de evento-resumo
Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics (2008)
Plante, M. C.; Tirado, M.; Pusep, Yuri A ; Comedi, D.; La Pierre, R. R.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
PLANTE, M. C. et al. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Plante, M. C., Tirado, M., Pusep, Y. A., Comedi, D., & La Pierre, R. R. (2008). Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
NLM
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Vancouver
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Trabalho de evento-resumo
Si nanocrystal-based systems: photoluminescence and Raman spectroscopy analysis (2008)
Borrero Gonzalez, Luis José; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Pusep, Yuri A ; Rodrigues, Ariano De Giovanni; Galzerani, J. C.; Wojcik, J.; Mascher, P.; Koropecki, R. R.; Arce, R. D.; Comedi, D.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, SILÍCIO, SENSOR
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ABNT
BORRERO GONZALEZ, Luis José et al. Si nanocrystal-based systems: photoluminescence and Raman spectroscopy analysis. 2008, Anais.. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2008. . Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Borrero Gonzalez, L. J., Guimarães, F. E. G., Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D. G., Galzerani, J. C., Wojcik, J., et al. (2008). Si nanocrystal-based systems: photoluminescence and Raman spectroscopy analysis. In Abstracts. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Borrero Gonzalez LJ, Guimarães FEG, Pusep YA, Rodrigues ADG, Galzerani JC, Wojcik J, Mascher P, Koropecki RR, Arce RD, Comedi D. Si nanocrystal-based systems: photoluminescence and Raman spectroscopy analysis. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Borrero Gonzalez LJ, Guimarães FEG, Pusep YA, Rodrigues ADG, Galzerani JC, Wojcik J, Mascher P, Koropecki RR, Arce RD, Comedi D. Si nanocrystal-based systems: photoluminescence and Raman spectroscopy analysis. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' (2008)
Borrero, L.; Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Comedi, D.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
BORRERO, L. et al. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. 2008, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Borrero, L., Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Comedi, D., Rodrigues, A. D., & Galzerani, J. C. (2008). Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
NLM
Borrero L, Pusep YA, Guimarães FEG, Comedi D, Rodrigues AD, Galzerani JC. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
Vancouver
Borrero L, Pusep YA, Guimarães FEG, Comedi D, Rodrigues AD, Galzerani JC. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 10 nov. 2024. , 2007
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Artigo de periodico
Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices (2006)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. Se 2006, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), Se 2006. doi:10.1590/s0103-97332006000600028
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Artigo de periodico
Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices (2006)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, SUPERCONDUTIVIDADE, ESPECTROS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, v. 73, n. Ju 2006, p. 235344-1-235344-6, 2006Tradução . . Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, 73( Ju 2006), 235344-1-235344-6.
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 nov. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices (2005)
Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Final Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. . Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2005). Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. In Final Program. São Carlos: SBPMat.
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 10 ]
Artigo de periodico
Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films (2003)
Iñiguez, A. C.; Campomanes, R. R.; Tabacniks, Manfredo ; Comedi, D.
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS, TITÂNIO, ESPALHAMENTO, ÍONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IÑIGUEZ, A. C. et al. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 22, n. 1, p. 22-24, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Iñiguez, A. C., Campomanes, R. R., Tabacniks, M., & Comedi, D. (2003). Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 22( 1), 22-24. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
NLM
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
Vancouver
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
Trabalho de evento-anais periodico
Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs (2002)
Santos, Paulo V.; Zanatta, Antonio Ricardo ; Dondeo, F.; Trampert, A.; Jahn, U.; Comedi, D.; Pudenzi, M. A. A.; Chambouleyron, I.
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Conference titles: International Conference on Amorphous and Microcystalline Semiconductors - Science and Technology. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Paulo V. et al. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 10 nov. 2024. , 2002
APA
Santos, P. V., Zanatta, A. R., Dondeo, F., Trampert, A., Jahn, U., Comedi, D., et al. (2002). Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 nov. 10 ]

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