Fano resonance in heavily doped porous silicon (2011)
- Authors:
- Autor USP: POUSSEP, IOURI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1002/jrs.2870
- Subjects: ESPALHAMENTO; LUMINESCÊNCIA; SILÍCIO; SEMICONDUTORES; NANOTECNOLOGIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Bognos Regis
- Date published: 2011
- Source:
- Título: Journal of Raman Spectroscopy
- ISSN: 0377-0486
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 42, n. 6, p. 1405-1407, June 2011
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, v. 42, n. 6, p. 1405-1407, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.2870. Acesso em: 06 maio 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Borrero-González, L. J., Acquaroli, L. N., Urteaga, R., Arce, R. D., et al. (2011). Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, 42( 6), 1405-1407. doi:10.1002/jrs.2870 -
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870 -
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2026 maio 06 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870 - Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder
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