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Artigo de periodico
Enhanced optical properties and (Zn, Mg) interdiffusion in vapour transport grown ZnO/MgO core/shell nanowires (2014)
Grinblat, G.; Borrero-González, L. J.; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira; Tirado, M.; Comedi, D.
Source: Nanotechnology. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
GRINBLAT, G. et al. Enhanced optical properties and (Zn, Mg) interdiffusion in vapour transport grown ZnO/MgO core/shell nanowires. Nanotechnology, v. 25, n. Ja 2014, p. 035705-1-035705-7, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/3/035705. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Grinblat, G., Borrero-González, L. J., Nunes, L. A. de O., Tirado, M., & Comedi, D. (2014). Enhanced optical properties and (Zn, Mg) interdiffusion in vapour transport grown ZnO/MgO core/shell nanowires. Nanotechnology, 25( Ja 2014), 035705-1-035705-7. doi:10.1088/0957-4484/25/3/035705
NLM
Grinblat G, Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Tirado M, Comedi D. Enhanced optical properties and (Zn, Mg) interdiffusion in vapour transport grown ZnO/MgO core/shell nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2014 ; 25( Ja 2014): 035705-1-035705-7.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/3/035705
Vancouver
Grinblat G, Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Tirado M, Comedi D. Enhanced optical properties and (Zn, Mg) interdiffusion in vapour transport grown ZnO/MgO core/shell nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2014 ; 25( Ja 2014): 035705-1-035705-7.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/3/035705
Artigo de periodico
Fano resonance in heavily doped porous silicon (2011)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. D.; Borrero-González, L. J.; Acquaroli, L. N.; Urteaga, R.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Tirado, M.; Comedi, D.
Source: Journal of Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Subjects: ESPALHAMENTO, LUMINESCÊNCIA, SILÍCIO, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, v. 42, n. 6, p. 1405-1407, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.2870. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Borrero-González, L. J., Acquaroli, L. N., Urteaga, R., Arce, R. D., et al. (2011). Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, 42( 6), 1405-1407. doi:10.1002/jrs.2870
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Trabalho de evento-resumo
Elastic relaxation of porous silicon (2008)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Comedi, D.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, SILICONE, ELASTICIDADE (PROPRIEDADES), FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Elastic relaxation of porous silicon. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2008). Elastic relaxation of porous silicon. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Trabalho de evento-resumo
Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics (2008)
Plante, M. C.; Tirado, M.; Pusep, Yuri A.; Comedi, D.; La Pierre, R. R.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
PLANTE, M. C. et al. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Plante, M. C., Tirado, M., Pusep, Y. A., Comedi, D., & La Pierre, R. R. (2008). Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
NLM
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Vancouver
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Trabalho de evento-resumo
Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' (2008)
Borrero, L.; Pusep, Yuri A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Comedi, D.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
BORRERO, L. et al. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. 2008, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Borrero, L., Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Comedi, D., Rodrigues, A. D., & Galzerani, J. C. (2008). Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
NLM
Borrero L, Pusep YA, Guimarães FEG, Comedi D, Rodrigues AD, Galzerani JC. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
Vancouver
Borrero L, Pusep YA, Guimarães FEG, Comedi D, Rodrigues AD, Galzerani JC. Luminescência e espectroscopia Raman de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0736-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 03 out. 2024. , 2007
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Artigo de periodico
Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices (2006)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. Se 2006, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), Se 2006. doi:10.1590/s0103-97332006000600028
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028
Artigo de periodico
Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices (2006)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, SUPERCONDUTIVIDADE, ESPECTROS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, v. 73, n. Ju 2006, p. 235344-1-235344-6, 2006Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, 73( Ju 2006), 235344-1-235344-6.
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices (2005)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: Final Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2005). Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. In Final Program. São Carlos: SBPMat.
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films (2003)
Iñiguez, A. C.; Campomanes, R. R.; Tabacniks, Manfredo ; Comedi, D.
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS, TITÂNIO, ESPALHAMENTO, ÍONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IÑIGUEZ, A. C. et al. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 22, n. 1, p. 22-24, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Iñiguez, A. C., Campomanes, R. R., Tabacniks, M., & Comedi, D. (2003). Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 22( 1), 22-24. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
NLM
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
Vancouver
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
Trabalho de evento-anais periodico
Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs (2002)
Santos, Paulo V.; Zanatta, Antonio Ricardo ; Dondeo, F.; Trampert, A.; Jahn, U.; Comedi, D.; Pudenzi, M. A. A.; Chambouleyron, I.
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Conference titles: International Conference on Amorphous and Microcystalline Semiconductors - Science and Technology. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Paulo V. et al. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 03 out. 2024. , 2002
APA
Santos, P. V., Zanatta, A. R., Dondeo, F., Trampert, A., Jahn, U., Comedi, D., et al. (2002). Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 out. 03 ]

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