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  • Artigo de periodico

    Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)

    Orellana, W; Ferraz, A. C.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524

    • NLM

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

    • Vancouver

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

  • Artigo de periodico

    Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu (2001)

    Pessoa, Sonia Frota; Legoas, S B

    Fonte: Hyperfine Interactions. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, CAMPO MAGNÉTICO

    Como citar
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    • ABNT

      PESSOA, Sonia Frota e LEGOAS, S B. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions, v. 133, n. 1-4, p. 207-219, 2001Tradução . . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Pessoa, S. F., & Legoas, S. B. (2001). Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions, 133( 1-4), 207-219.

    • NLM

      Pessoa SF, Legoas SB. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions. 2001 ; 133( 1-4): 207-219.[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Pessoa SF, Legoas SB. Hyperfine fields in complex metallic systems: Co clusters embedded in Cu. Hyperfine Interactions. 2001 ; 133( 1-4): 207-219.[citado 2024 out. 08 ]

  • Artigo de periodico

    Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)

    Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Fonte: Physica B. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • NLM

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

  • Tese (Doutorado)

    Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b' (2001)

    Terrazos Javier, Luis Alberto; Petrilli, Helena Maria (Orientador)

    Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Como citar
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    • ABNT

      TERRAZOS JAVIER, Luis Alberto. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Terrazos Javier, L. A. (2001). Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Terrazos Javier LA. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Terrazos Javier LA. Propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos 'C 11 IND. b'. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

  • Tese (Doutorado)

    O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira (2001)

    Cavalheiro, Ademir; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Orientador)

    Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ELETRÔNICA QUÂNTICA

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      CAVALHEIRO, Ademir. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Cavalheiro, A. (2001). O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/

    • NLM

      Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/

    • Vancouver

      Cavalheiro A. O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09122013-103924/

  • Artigo de periodico

    First-principles studies of Ti impurities in SiC (2001)

    Barbosa, K O; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.

    Fonte: Physica B. Unidade: IF

    Assuntos: METAIS, NÃO METAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BARBOSA, K O e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, v. 308, p. 726-729, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Barbosa, K. O., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2001). First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, 308, 726-729. doi:10.1016/s0921-4526(01)00885-7

    • NLM

      Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7

    • Vancouver

      Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7

  • Artigo de periodico

    New superconducting states in the Hubbard model (2001)

    Feng, Sze-Shiang; Wang, Bin; Abdalla, Élcio

    Fonte: Physics Letters A. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERCONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FENG, Sze-Shiang e WANG, Bin e ABDALLA, Élcio. New superconducting states in the Hubbard model. Physics Letters A, v. 291, n. 4-5, p. 301-305, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Feng, S. -S., Wang, B., & Abdalla, É. (2001). New superconducting states in the Hubbard model. Physics Letters A, 291( 4-5), 301-305. doi:10.1016/s0375-9601(01)00731-9

    • NLM

      Feng S-S, Wang B, Abdalla É. New superconducting states in the Hubbard model [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 291( 4-5): 301-305.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9

    • Vancouver

      Feng S-S, Wang B, Abdalla É. New superconducting states in the Hubbard model [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 291( 4-5): 301-305.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00731-9

  • Artigo de periodico

    Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)

    Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210

    • NLM

      Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210

    • Vancouver

      Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210

  • Trabalho de evento-resumo

    Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)

    Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Venezuela, P., Dalpian, G., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)

    Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

  • Artigo de periodico

    Electronic scattering in doped superlattices (2001)

    Henriques, André Bohomoletz; Souza, P. L.; Yavich, B

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz e SOUZA, P. L. e YAVICH, B. Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, v. 64, n. 4, p. 5319/1-5319/6, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Henriques, A. B., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, 64( 4), 5319/1-5319/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips

    • NLM

      Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors (2001)

    Aguiar, J Albino; Lima, C L S; Yadava, Y P; Jardim, R. F.; Montarroyos, E; Ferreira, J M

    Fonte: Physica C. Unidade: IF

    Assuntos: SUPERCONDUTIVIDADE, MAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGUIAR, J Albino et al. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors. Physica C, v. 354, n. 1-4, p. 363-366, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Aguiar, J. A., Lima, C. L. S., Yadava, Y. P., Jardim, R. F., Montarroyos, E., & Ferreira, J. M. (2001). Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors. Physica C, 354( 1-4), 363-366. doi:10.1016/s0921-4534(01)00101-0

    • NLM

      Aguiar JA, Lima CLS, Yadava YP, Jardim RF, Montarroyos E, Ferreira JM. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors [Internet]. Physica C. 2001 ; 354( 1-4): 363-366.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0

    • Vancouver

      Aguiar JA, Lima CLS, Yadava YP, Jardim RF, Montarroyos E, Ferreira JM. Structural and magnetic properties of NiS doped Bi-2212 superconductors [Internet]. Physica C. 2001 ; 354( 1-4): 363-366.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4534(01)00101-0

  • Artigo de periodico

    Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)

    Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623

    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623

  • Artigo de periodico

    Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well (2001)

    Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Olshanetskii, E B; Bykov, A A; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Estibals, O; Portal, J C

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SÉRGIO, C. S. et al. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well. Physical Review B, v. 64, n. 11, p. 5314/1-5314/9, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Olshanetskii, E. B., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., et al. (2001). Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well. Physical Review B, 64( 11), 5314/1-5314/9. doi:10.1103/physrevb.64.115314

    • NLM

      Sérgio CS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetskii EB, Bykov AA, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Estibals O, Portal JC. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 11): 5314/1-5314/9.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314

    • Vancouver

      Sérgio CS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetskii EB, Bykov AA, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Estibals O, Portal JC. Coexistence of a two- and three-dimensional Landau states in a wide parabolic quantum well [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 11): 5314/1-5314/9.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.115314

  • Trabalho de evento-resumo

    Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N' (2001)

    Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAIVA, R de et al. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos (2001)

    Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÁTOMOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, C de et al. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2001). Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

    • Vancouver

      Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 08 ]

  • Artigo de periodico

    Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube (2001)

    Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Paiva, C; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto

    Fonte: Journal of Molecular Structure-Theochem. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FAGAN, Solange Binotto et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, v. 539, p. 101-106, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Paiva, C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, 539, 101-106. doi:10.1016/s0166-1280(00)00777-6

    • NLM

      Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6

    • Vancouver

      Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6

  • Artigo de periodico

    Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)

    Martini, S.; Quivy, A. A.; Tabata, A; Leite, J. R.

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336

    • NLM

      Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336

    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336

  • Artigo de periodico

    Anisotropy of the cyclotron mass in superlattices containing two populated minibands (2001)

    Henriques, André Bohomoletz; Souza, P. L.; Yavich, B

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz e SOUZA, P. L. e YAVICH, B. Anisotropy of the cyclotron mass in superlattices containing two populated minibands. Semiconductor Science and Technology, v. 16, n. 1, p. 1-6, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/1/301. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Henriques, A. B., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Anisotropy of the cyclotron mass in superlattices containing two populated minibands. Semiconductor Science and Technology, 16( 1), 1-6. doi:10.1088/0268-1242/16/1/301

    • NLM

      Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Anisotropy of the cyclotron mass in superlattices containing two populated minibands [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2001 ; 16( 1): 1-6.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/1/301

    • Vancouver

      Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Anisotropy of the cyclotron mass in superlattices containing two populated minibands [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2001 ; 16( 1): 1-6.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/16/1/301

  • Artigo de periodico

    Non relativistic limit in QFT: a Wilson renormalization group approach in the Minkowski space (2001)

    Silva, Adilson Jose da

    Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA DE PARTÍCULAS, PARTÍCULAS ELEMENTARES, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ÓPTICA, MAGNETISMO, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELETROMAGNÉTICAS), POLARIZAÇÃO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Adilson Jose da. Non relativistic limit in QFT: a Wilson renormalization group approach in the Minkowski space. Brazilian Journal of Physics, v. 31, n. 2, p. 170-178, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol31/Num2/v31_170.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.

    • APA

      Silva, A. J. da. (2001). Non relativistic limit in QFT: a Wilson renormalization group approach in the Minkowski space. Brazilian Journal of Physics, 31( 2), 170-178. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol31/Num2/v31_170.pdf

    • NLM

      Silva AJ da. Non relativistic limit in QFT: a Wilson renormalization group approach in the Minkowski space [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2001 ; 31( 2): 170-178.[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol31/Num2/v31_170.pdf

    • Vancouver

      Silva AJ da. Non relativistic limit in QFT: a Wilson renormalization group approach in the Minkowski space [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2001 ; 31( 2): 170-178.[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol31/Num2/v31_170.pdf

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