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  • Dissertação (Mestrado)

    Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (2020)

    Carvalho, Marcel Castilho Batista de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: FONTES RENOVÁVEIS DE ENERGIA, SILÍCIO, VEÍCULOS ELÉTRICOS

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    • ABNT

      CARVALHO, Marcel Castilho Batista de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Carvalho, M. C. B. de. (2020). Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/

    • NLM

      Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/

    • Vancouver

      Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/

  • Tese (Doutorado)

    Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO

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    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

    • NLM

      Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

    • Vancouver

      Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA

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    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/

  • Dissertação (Mestrado)

    Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício (2017)

    Siqueira, Felipe Tomachevski; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO, TERMOELETRICIDADE

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    • ABNT

      SIQUEIRA, Felipe Tomachevski. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Siqueira, F. T. (2017). Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/

    • NLM

      Siqueira FT. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/

    • Vancouver

      Siqueira FT. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

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    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • NLM

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • Vancouver

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

  • Dissertação (Mestrado)

    Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)

    Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA

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    • ABNT

      CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/

    • NLM

      Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/

    • Vancouver

      Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/

  • Tese (Doutorado)

    Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo (2017)

    Melo, Emerson Gonçalves de ; Alayo Chávez, Marco Isaías (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: FOTÔNICA, SILÍCIO, DISPERSÃO DA LUZ

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    • ABNT

      MELO, Emerson Gonçalves de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Melo, E. G. de. (2017). Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/

    • NLM

      Melo EG de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/

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      Melo EG de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • NLM

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • Vancouver

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

  • Tese (Doutorado)

    Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras (2015)

    Silva, Diego Silvério da; Kassab, Luciana Reyes Pires (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: NANOPARTÍCULAS, SILÍCIO, FOTÔNICA, ÉRBIO

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    • ABNT

      SILVA, Diego Silvério da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Silva, D. S. da. (2015). Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/

    • NLM

      Silva DS da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/

    • Vancouver

      Silva DS da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/

  • Tese (Doutorado)

    Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (2013)

    Doria, Renan Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS

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    • ABNT

      DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/

    • NLM

      Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/

    • Vancouver

      Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/

  • Dissertação (Mestrado)

    Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício (2011)

    Maruta, Ricardo Hitoshi; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: PROCESSAMENTO DIGITAL DE IMAGENS, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, GRANULOMETRIA, SILÍCIO

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    • ABNT

      MARUTA, Ricardo Hitoshi. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Maruta, R. H. (2011). Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/

    • NLM

      Maruta RH. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/

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      Maruta RH. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/

  • Dissertação (Mestrado)

    Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo (2010)

    Nunes, Carolina Carvalho Previdi; Zambom, Luís da Silva (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

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    • ABNT

      NUNES, Carolina Carvalho Previdi. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Nunes, C. C. P. (2010). Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/

    • NLM

      Nunes CCP. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/

    • Vancouver

      Nunes CCP. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/

  • Tese (Doutorado)

    Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)

    Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS

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    • ABNT

      DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/

    • NLM

      Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/

    • Vancouver

      Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)

    Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/

    • NLM

      Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/

    • Vancouver

      Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/

  • Tese (Doutorado)

    Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo (2009)

    Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SILÍCIO, NANOTECNOLOGIA, SUPERFÍCIE FÍSICA

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    • ABNT

      RAIMUNDO, Daniel Scodeler. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Raimundo, D. S. (2009). Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/

    • NLM

      Raimundo DS. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/

    • Vancouver

      Raimundo DS. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/

  • Dissertação (Mestrado)

    Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos (2009)

    Aparicio Acosta, Aldo; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA (PROCESSOS), SILÍCIO, NANOCOMPOSITOS, SENSORES QUÍMICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      APARICIO ACOSTA, Aldo. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Aparicio Acosta, A. (2009). Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/

    • NLM

      Aparicio Acosta A. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/

    • Vancouver

      Aparicio Acosta A. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (2009)

    Ribeiro, Márcia; Pereyra, Inés (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      RIBEIRO, Márcia. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Ribeiro, M. (2009). Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/

    • NLM

      Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/

    • Vancouver

      Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/

  • Dissertação (Mestrado)

    Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular (2008)

    Oliveira Júnior, José Pinto de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: SILÍCIO, AUTÔMATOS CELULARES, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS

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    • ABNT

      OLIVEIRA JÚNIOR, José Pinto de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Oliveira Júnior, J. P. de. (2008). Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/

    • NLM

      Oliveira Júnior JP de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/

    • Vancouver

      Oliveira Júnior JP de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/

  • Tese (Doutorado)

    Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (2008)

    Souza Filho, José Cândido de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: ÓPTICA, LASER, ESPALHAMENTO, SILÍCIO

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    • ABNT

      SOUZA FILHO, José Cândido de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Souza Filho, J. C. de. (2008). Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/

    • NLM

      Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/

    • Vancouver

      Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (2008)

    Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: COBALTO, ELETROQUÍMICA, PALÁDIO, SILÍCIO

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    • ABNT

      HASHIMOTO, Alexandre Ichiro. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/. Acesso em: 07 nov. 2024.

    • APA

      Hashimoto, A. I. (2008). Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

    • NLM

      Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

    • Vancouver

      Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

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