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Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício (2017)

  • Authors:
  • Autor USP: SIQUEIRA, FELIPE TOMACHEVSKI - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO; TERMOELETRICIDADE
  • Agências de fomento:
  • Language: Português
  • Abstract: Superfícies de silício (100) foram inicialmente pré-ativadas em uma solução diluída de ácido fluorídrico contendo PdCl2. Após essa etapa, filmes finos de Cu-Ni-P foram quimicamente depositados utilizando-se um banho químico contendo 15g/l NiSO4.6H2O; 0.2 g/l CuSO4.5H2O; 15 g/l Na2HPO2.H2O e 60 g/l Na3C6H5O7.2H2O na temperatura de 80ºC onde foi adicionado NH4OH até que o pH da solução atingisse 8,0. Foi observado que as porcentagens estequiométricas de Ni e Cu variaram substancialmente no intervalo de 1 a 3min, e se tornaram praticamente estáveis em 50% e 35%, respectivamente, quando o tempo de deposição foi superior a 3min. Além disso, a porcentagem de P permaneceu quase constante em torno de 17-18% para todos os tempos de deposição. A distribuição de alturas nas imagens FE-SEM resultou bimodal para tempos na faixa de 1 e 3min onde a predominância do modo de maior altura aumentou substancialmente para o tempo de 3min. Tal fato serviu para corroborar a evolução da morfologia superficial de grãos menores com diâmetros na faixa de 0,02 a 0,1µm, predominantemente compostos de Ni, para grãos maiores, na faixa de 0,1 a 0,3µm e predominantemente compostos de Cu. Após um recozimento a 100oC durante 10min em ambiente 20%O2+80%N2, observou-se uma mudança na morfologia superficial em que os aglomerados de fósforo (Po) desapareceram enquanto que os grãos que compunham a imagem não mudaram substancialmente de tamanho após o recozimento. Apesar do desaparecimento dos aglomerados, a concentração de fósforo ainda apresentou valor semelhante ao valor de antes do recozimento (~17-18%). As análises de difração de raios X (XRD) indicaram o aparecimento de um pico de difração alargado ao redor de 22,6º característico de óxido de fósforo (P2O5) com estrutura vítrea amorfa significando que o fósforo em estado puro foi transformado na sua forma oxidada.Por outro lado, picos substancialmente menos intensos de NiO, Ni3P e Si5P6O25 foram observados. Verificou-se também para os filmes recozidos em N2+O2 que a resistividade aumentou para todos os tempos de deposição e o poder termoelétrico medido resultou quase independente do tempo de deposição e, portanto, foi quase independente da espessura do filme para as diferentes temperaturas medidas na faixa de 40 a 120ºC.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 04.09.2017
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      SIQUEIRA, Felipe Tomachevski; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício. 2017.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/pt-br.php >.
    • APA

      Siqueira, F. T., & Santos Filho, S. G. dos. (2017). Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/pt-br.php
    • NLM

      Siqueira FT, Santos Filho SG dos. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/pt-br.php
    • Vancouver

      Siqueira FT, Santos Filho SG dos. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/pt-br.php

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