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Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
NLM
Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Tese (Doutorado)
Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)
Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
NLM
Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
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Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)
Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
NLM
Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
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Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (2019)
Gamero Sobero, Vanessa Julia; Alayo Chávez, Marco Isaías (Orientador) ; Rehder, Gustavo Pamplona (coorient)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GAMERO SOBERO, Vanessa Julia. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Gamero Sobero, V. J. (2019). Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
NLM
Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
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Gamero Sobero VJ. Fabricação e caracterização de um dispositivo óptico desenvolvido com tecnologia CMOS de 0,35 µm [Internet]. 2019 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01022023-091536/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
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Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)
Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Sivieri, V. de B. (2016). Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
NLM
Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
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Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) (2016)
Alandia, Bárbara Siano; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, OXIDAÇÃO, SEMICONDUTORES
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ABNT
ALANDIA, Bárbara Siano. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Alandia, B. S. (2016). Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
NLM
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
Vancouver
Alandia BS. Fabricação e caracterização experimental de diodos tunel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18082016-142744/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
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Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Dissertação (Mestrado)
Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (2013)
Zanchin, Vinicius Ramos; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, PROCESSOS DE FABRICAÇÃO, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANCHIN, Vinicius Ramos. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Zanchin, V. R. (2013). Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
NLM
Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
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Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
Tese (Doutorado)
Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos (2011)
Medeiros, Marina Sparvoli de; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador); Mansano, Ronaldo Domingues (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SENSOR, ÓPTICA ELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
MEDEIROS, Marina Sparvoli de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Medeiros, M. S. de. (2011). Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
NLM
Medeiros MS de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos [Internet]. 2011 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
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Medeiros MS de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e ópto eletrônicos [Internet]. 2011 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09122011-094234/
Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Dissertação (Mestrado)
Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche (2010)
Rodriguez Ramirez, Julian David; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUEZ RAMIREZ, Julian David. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Rodriguez Ramirez, J. D. (2010). Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
NLM
Rodriguez Ramirez JD. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
Vancouver
Rodriguez Ramirez JD. Desempenho de dispositivos fotodetectores com multiplicação de elétrons por avalanche [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29112016-134743/
Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
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Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, CÉLULAS SOLARES, PROCESSOS DE FABRICAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Cavallari, M. R. (2010). Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
NLM
Cavallari MR. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
Vancouver
Cavallari MR. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03112010-120818/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (2007)
Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Sára Elizabeth Souza Brazão de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Oliveira, S. E. S. B. de. (2007). Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
NLM
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Vancouver
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Tese (Doutorado)
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (2007)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2007). Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
NLM
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Tese (Livre Docência)
Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (2006)
Justo Filho, João Francisco
Unidade: EP
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F. (2006). Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Justo Filho JF. Modelagem de novos materiais: da microeletrônica à nanoeletrônica. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (2006)
Paiola, Artur Gasparetto; Nicolett, Aparecido Sirley (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIOLA, Artur Gasparetto. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Paiola, A. G. (2006). Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Vancouver
Paiola AG. Caracterização Elétrica de dispositivos SOI MOSFET fabricados com tecnologia sub-micrométrica. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (2006)
Pestana, Ricardo; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PESTANA, Ricardo. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/. Acesso em: 04 ago. 2024.
APA
Pestana, R. (2006). Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
NLM
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Vancouver
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/

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