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Artigo de periodico
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
Assali, L. V. C. ; Gan, F; Kimberling, L C; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics A-Materials Science & Processing. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7
NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308-310, p. 489-492, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2002). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308-310, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
First-principles studies of Ti impurities in SiC (2001)
Barbosa, K O; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: METAIS, NÃO METAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BARBOSA, K O e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, v. 308, p. 726-729, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Barbosa, K. O., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2001). First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, 308, 726-729. doi:10.1016/s0921-4526(01)00885-7
NLM
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7
Vancouver
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7
Artigo de periodico
Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Artigo de periodico
"Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (2000)
Capaz, R B; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L C; Cho, K; Joannopoulos, J D
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R B et al. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (2000). "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Artigo de periodico
"Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)
Capaz, R. B.; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L. C.; Cho, K.; Joannopoulos, J. D.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R. B. et al. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 02 ago. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 ago. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002

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