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  • Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

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    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, v. 108, n. 3, p. 035416-1-035416-9, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., Villegas-Lelovsky, L., Oliveira, E. R. C. de, Marques, ‪G. E., LaPierre, R., Toropov, A. I., & Pusep, Y. A. (2023). Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, 108( 3), 035416-1-035416-9. doi:10.1103/PhysRevB.108.035416
    • NLM

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
    • Vancouver

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
  • Source: Journal of Physics D. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FÍSICA MODERNA, HIDRODINÂMICA, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, v. 56, n. 17, p. 175301-1-175301-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., Levine, A., & Bakarov, A. (2023). Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, 56( 17), 175301-1-175301-8. doi:10.1088/1361-6463/acba2a
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
  • Source: Physica Scripta. Unidade: IFSC

    Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito e PUSEP, Yuri A. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems. Physica Scripta, v. 98, n. 9, p. 095938-1-095938-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., & Pusep, Y. A. (2023). Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems. Physica Scripta, 98( 9), 095938-1-095938-8. doi:10.1088/1402-4896/aceec4
    • NLM

      Patricio MAT, Pusep YA. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems [Internet]. Physica Scripta. 2023 ; 98( 9): 095938-1-095938-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4
    • Vancouver

      Patricio MAT, Pusep YA. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems [Internet]. Physica Scripta. 2023 ; 98( 9): 095938-1-095938-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4
  • Source: Physical Review Letters. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, v. 128, n. 13, p. 136801-1-136801-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Laurindo Junior, V., Oliveira, E. R. C., Gusev, G., & Bakarov, A. K. (2022). Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, 128( 13), 136801-1-136801-6. doi:10.1103/PhysRevLett.128.136801
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
  • Source: Book of abstracts. Conference titles: International Conference on Strongly Correlated Electron Systems - SCES. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. 2022, Anais.. Amsterdam: University of Amsterdam, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2395ca0-2d72-44c5-909c-23f27daa30fc/3090075.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Laurindo Junior, V., Oliveira, E. R. C. de, Gusev, G., & Bakarov, A. K. (2022). Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. In Book of abstracts. Amsterdam: University of Amsterdam. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2395ca0-2d72-44c5-909c-23f27daa30fc/3090075.pdf
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC de, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Book of abstracts. 2022 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2395ca0-2d72-44c5-909c-23f27daa30fc/3090075.pdf
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC de, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Book of abstracts. 2022 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b2395ca0-2d72-44c5-909c-23f27daa30fc/3090075.pdf
  • Source: Conference booklet. Conference titles: International Conference on New Trends in Quantum Light and Nanophysics - QLIN. Unidade: IFSC

    Subjects: ESPECTROSCOPIA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. Spectroscopy of localized and extended states below the Fermi level. 2019, Anais.. Rome: Mediterranean Institute of Fundamental Physics - MIFP, 2019. Disponível em: https://events.mifp.eu/qlin-2019/img/program/qlin19-booklet.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A. (2019). Spectroscopy of localized and extended states below the Fermi level. In Conference booklet. Rome: Mediterranean Institute of Fundamental Physics - MIFP. Recuperado de https://events.mifp.eu/qlin-2019/img/program/qlin19-booklet.pdf
    • NLM

      Pusep YA. Spectroscopy of localized and extended states below the Fermi level [Internet]. Conference booklet. 2019 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://events.mifp.eu/qlin-2019/img/program/qlin19-booklet.pdf
    • Vancouver

      Pusep YA. Spectroscopy of localized and extended states below the Fermi level [Internet]. Conference booklet. 2019 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://events.mifp.eu/qlin-2019/img/program/qlin19-booklet.pdf
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
    • NLM

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
    • Vancouver

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ]
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ]
  • Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC

    Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 156-161, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, 104, 156-161. doi:10.1016/j.spmi.2016.12.060
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
  • Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • NLM

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • Vancouver

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
  • Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    • ABNT

      TAVARES, Belarmino e TITO, Marcos e PUSEP, Yuri A. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tavares, B., Tito, M., & Pusep, Y. A. (2017). Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • NLM

      Tavares B, Tito M, Pusep YA. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
    • Vancouver

      Tavares B, Tito M, Pusep YA. Radial heterostructured GaAs/AlGaAs nanowires [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
  • Unidade: IFSC

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. . New York: Hindawi. . Acesso em: 09 nov. 2024. , 2017
    • APA

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. (2017). The Scientific World Journal: condensed matter physics. New York: Hindawi.
    • NLM

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ]
    • Vancouver

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. 2017 ;[citado 2024 nov. 09 ]
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
  • Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PUSEP, Yuri A e TITO, M. A. e LAPIERRE, R. R. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 17, p. 175602-1-175602-7, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Tito, M. A., & LaPierre, R. R. (2016). Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 17), 175602-1-175602-7. doi:10.1088/0953-8984/28/17/175602
    • NLM

      Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
    • Vancouver

      Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
  • Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
    • NLM

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
    • Vancouver

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
    • NLM

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
    • Vancouver

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
  • Unidade: IFSC

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. . New York: Hindawi. . Acesso em: 09 nov. 2024. , 2016
    • APA

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. (2016). The Scientific World Journal: condensed matter physics. New York: Hindawi.
    • NLM

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ]
    • Vancouver

      The Scientific World Journal: condensed matter physics. 2016 ;[citado 2024 nov. 09 ]
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 09 nov. 2024.
    • APA

      Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
    • NLM

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
    • Vancouver

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161

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