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  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais (2025)

    Bigon, Christophe Bertrand; Chitta, Valmir Antonio (Orientador)

    Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BIGON, Christophe Bertrand. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/. Acesso em: 18 fev. 2026.

    • APA

      Bigon, C. B. (2025). Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/

    • NLM

      Bigon CB. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais [Internet]. 2025 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/

    • Vancouver

      Bigon CB. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais [Internet]. 2025 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/

  • Dissertação (Mestrado)

    Investigation of the structural stability and defect formation effect on the electronic properties of bismuth-based topological insulators (2024)

    Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David ; Martelli, Valentina (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA EXPERIMENTAL

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      HINOSTROZA VARGAS MACHUCA, Cristhian David. Investigation of the structural stability and defect formation effect on the electronic properties of bismuth-based topological insulators. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18032025-123923/. Acesso em: 18 fev. 2026.

    • APA

      Hinostroza Vargas Machuca, C. D. (2024). Investigation of the structural stability and defect formation effect on the electronic properties of bismuth-based topological insulators (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18032025-123923/

    • NLM

      Hinostroza Vargas Machuca CD. Investigation of the structural stability and defect formation effect on the electronic properties of bismuth-based topological insulators [Internet]. 2024 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18032025-123923/

    • Vancouver

      Hinostroza Vargas Machuca CD. Investigation of the structural stability and defect formation effect on the electronic properties of bismuth-based topological insulators [Internet]. 2024 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18032025-123923/

  • Dissertação (Mestrado)

    Transições topológicas em escadas de Kane-Mele-Hubbard (2019)

    Magaldi, Rafael Miksian; Silva, Luis Gregório Godoy de Vasconcellos Dias da (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, MUDANÇA DE FASE, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MAGALDI, Rafael Miksian. Transições topológicas em escadas de Kane-Mele-Hubbard. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17092019-140111/. Acesso em: 18 fev. 2026.

    • APA

      Magaldi, R. M. (2019). Transições topológicas em escadas de Kane-Mele-Hubbard (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17092019-140111/

    • NLM

      Magaldi RM. Transições topológicas em escadas de Kane-Mele-Hubbard [Internet]. 2019 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17092019-140111/

    • Vancouver

      Magaldi RM. Transições topológicas em escadas de Kane-Mele-Hubbard [Internet]. 2019 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17092019-140111/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 (2019)

    Silva, Wellington Viana da; Chitta, Valmir Antonio (Orientador)

    Unidade: IF

    Assunto: PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wellington Viana da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/. Acesso em: 18 fev. 2026.

    • APA

      Silva, W. V. da. (2019). Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/

    • NLM

      Silva WV da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 [Internet]. 2019 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/

    • Vancouver

      Silva WV da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 [Internet]. 2019 ;[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/

  • Artigo de periodico

    Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators (2019)

    Rahim, Abdur; Gusev, Guennadii Michailovich ; Kvonc, Z D; Olshanetsky, E B; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

    Source: Microelectronic Engineering. Unidade: IF

    Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAHIM, Abdur et al. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, v. 206, p. 55-59, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011. Acesso em: 18 fev. 2026.

    • APA

      Rahim, A., Gusev, G. M., Kvonc, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, 206, 55-59. doi:10.1016/j.mee.2018.12.011

    • NLM

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011

    • Vancouver

      Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
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