Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 (2019)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, WELLINGTON VIANA DA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- DOI: 10.11606/D.43.2020.tde-05022020-222130
- Assunto: PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
- Keywords: ISOLANTES TOPOLÓGICOS; PROPRIEDADES ELETRICAS; TELURETO DE BISMUTO; SELENETO DE BISMUTO; TELURETO DE BISMUTO; OSCILAÇÕES DE SHUBNIKOV-DE HAAS; BISMUTH SELENIDE; BISMUTH TELLURIDE; SHUBNIKOV- DE HAAS OSCILLATIONS; TOPOLOGICAL INSULATORS
- Language: Português
- Abstract: Isolantes topológicos são materiais que possuem estados eletrônicos metálicos de gap nulo na superfície, enquanto que o interior permanece isolante e com gap finito. No presente trabalho, foram estudadas as propriedades elétricas de quatro isolantes topológicos para verificar a existência de estados eletrônicos metálicos na superfície, sendo eles o Bi2Te3 , Bi2Se3 , Bi(2(1x))Gd(2x)Se3 com x = 0,0021 e Bi(2(1x))Gd(2x)Te3 com x = 0,0051. Os dois últimos foram dopados com gadolínio para verificar alterações nas propriedades elétricas com a introdução de uma impureza magnética. Os estudos foram realizados através de medidas de resistividade em função da temperatura e do campo magnético. Das medidas de resistividade em função da temperatura, foi verificado que as amostras de seleneto, pura e dopada, são do tipo n, enquanto que as amostras de telureto são do tipo p, todas com concentração de portadores de bulk da ordem de 10^18 cm^(3). De todos os resultados obtidos, a única diferença entre as amostras, puras e dopadas, é que a concentração de portadores das amostras dopadas é ligeiramente maior que das amostras puras. Nas medidas de magnetorresistência, por meio do estudo das oscilações de Shubnikov-de Haas (SdH), verificou-se apenas uma frequência de oscilação nas amostras de seleneto, enquanto que para o telureto, foram observadas duas frequências, resultado da observação de spin splitting. Obteve-se a fase de Berry das oscilações de SdH, sendo que para todas as amostras, os resultados não possibilitaram concluir categoricamente o sistema eletrônico como trivial ou não-trivial. De todos os resultados obtidos, não foi possível verificar estados topológicos de superfície das medidas de magnetorresistência, isso devido a alta concentração de portadores de bulk que não possibilitou isolar efeitos de bulk e superfície.
- Imprenta:
- Data da defesa: 12.12.2019
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SILVA, Wellington Viana da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Silva, W. V. da. (2019). Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/ -
NLM
Silva WV da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 [Internet]. 2019 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/ -
Vancouver
Silva WV da. Estudo das propriedades elétricas de amostras de Bi2Te3 e Bi2Se3 [Internet]. 2019 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05022020-222130/
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2020.tde-05022020-222130 (Fonte: oaDOI API)
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