Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais (2025)
- Authors:
- Autor USP: BIGON, CHRISTOPHE BERTRAND - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.11606/D.43.2025.tde-28112025-152223
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Keywords: ANTI-LOCALIZAÇÃO FRACA; DOPAGEM MAGNÉTICA; ESTADOS DE SUPERFÍCIE; ISOLANTES TOPOLÓGICOS; MAGNETIC DOPING; SURFACE STATES; TOPOLOGICAL INSULATORS; WEAK ANTI-LOCALIZATION
- Language: Português
- Abstract: Isolantes Topológicos como o seleneto de bismuto e o telureto de bismuto apresentam uma parte volumétrica bulk isolante, enquanto que os estados de superfície são protegidos pela simetria de inversão temporal. O efeito de anti localização fraca (WAL) é uma assinatura do forte acoplamento spin-órbita, que pode ser evidenciado ao medir as correções quânticas na magnetocondutância. Ademais, é possível investigar como a implantação de íons magnético em um Isolante Topológico afeta a simetria de inversão temporal e as propriedades elétricas do material. No presente trabalho, investigamos a natureza topológica de cristais de Bi2Se3 e Bi2Te3 puros e dopados com manganês, crescidos pelo método de Bridgman ou pela técnica melt. A estrutura cristalina das amostras é compatível com os resultados na bibliografia vigente, e não apresenta mudanças significativas resultantes da dopagem com Mn. Realizamos medições de transporte elétrico e de efeito Hall dependentes da temperatura. Ambas mostram um comportamento metálico das amostras, principalmente através da análise da resistividade superficial e da concentração de portadores de carga de 1017 à 1018 cm2. Mediu-se a magnetorresistência em campos magnéticos de até 1,5 Tesla. A presença do efeito de anti localização fraca (WAL) em baixos campos foi investigada através do modelo Hikami Larkin Nagaoka (HLN).Em campos mais altos, observamos uma contribuição clássica na magnetorresistência. Investigamos a influência dos íons de manganês através de medições de magnetização na amostra de Bi2Te3 dopada com Mn. Essa amostra apresenta um comportamento ferromagnético, verificando a substituição dos sítios de bismuto pelos átomos de manganês
- Imprenta:
- Data da defesa: 13.11.2025
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
BIGON, Christophe Bertrand. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/. Acesso em: 04 mar. 2026. -
APA
Bigon, C. B. (2025). Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/ -
NLM
Bigon CB. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais [Internet]. 2025 ;[citado 2026 mar. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/ -
Vancouver
Bigon CB. Estudo das propriedades elétricas de estruturas baseadas em Isolantes Topológicos tridimensionais [Internet]. 2025 ;[citado 2026 mar. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28112025-152223/
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2025.tde-28112025-152223 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
