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Artigo de periodico
Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP (2023)
Braga Filho, Osvaldo Moraes; Delfino, Cristian Anderson; Kawabata, Rudy Massami Sakamoto; Pinto, Luciana Dornelas; Vieira, Gustavo Soares; Pires, Mauricio Pamplona; Souza, Patrícia Lustoza de ; Marega Júnior, Euclydes ; Carlin, John A.; Krishna, Sanjay
Source: Opto-Electronics Review. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
BRAGA FILHO, Osvaldo Moraes et al. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP. Opto-Electronics Review, v. 31, p. e144562-1-e144562-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Braga Filho, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2023). Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP. Opto-Electronics Review, 31, e144562-1-e144562-6. doi:10.24425/opelre.2023.144562
NLM
Braga Filho OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Júnior E, Carlin JA, Krishna S. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP [Internet]. Opto-Electronics Review. 2023 ; 31 e144562-1-e144562-6.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562
Vancouver
Braga Filho OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Júnior E, Carlin JA, Krishna S. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP [Internet]. Opto-Electronics Review. 2023 ; 31 e144562-1-e144562-6.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562
Artigo de periodico
Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP (2020)
Braga, Osvaldo M. ; Delfino, Cristian A.; Kawabata, Rudy M. S.; Pinto, Luciana Dornelas; Vieira, Gustavo S. ; Pires, Mauricio P.; Souza, Patrícia Lustoza de ; Marega Júnior, Euclydes ; Carlin, John A.; Krishna, Sanjay
Source: IEEE Sensors Journal. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
BRAGA, Osvaldo M. et al. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, v. 20, n. 16, p. 9234-9244, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Braga, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2020). Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, 20( 16), 9234-9244. doi:10.1109/JSEN.2020.2987006
NLM
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Júnior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006
Vancouver
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Júnior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006
Relatorio tecnico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2020)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz ; Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André ; Abramof, E
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 19 jun. 2024. , 2020
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Tese (Doutorado)
Síntese e investigação espectroscópica de novos fósforos dopados com Ti e ´CePOT.3+´ para aplicação em luminescência persistente e iluminação de estado sólido (2015)
Carvalho Junior, José Miranda de; Brito, Hermi Felinto de (Orientador)
Unidade: IQ
Subjects: ESPECTROSCOPIA (ESTUDO), FOTOLUMINESCÊNCIA, ZIRCÔNIA, MATÉRIA CONDENSADA, TERRAS RARAS, TITÂNIO
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ABNT
CARVALHO JUNIOR, José Miranda de. Síntese e investigação espectroscópica de novos fósforos dopados com Ti e ´CePOT.3+´ para aplicação em luminescência persistente e iluminação de estado sólido. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46136/tde-15122015-091157/. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Carvalho Junior, J. M. de. (2015). Síntese e investigação espectroscópica de novos fósforos dopados com Ti e ´CePOT.3+´ para aplicação em luminescência persistente e iluminação de estado sólido (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46136/tde-15122015-091157/
NLM
Carvalho Junior JM de. Síntese e investigação espectroscópica de novos fósforos dopados com Ti e ´CePOT.3+´ para aplicação em luminescência persistente e iluminação de estado sólido [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46136/tde-15122015-091157/
Vancouver
Carvalho Junior JM de. Síntese e investigação espectroscópica de novos fósforos dopados com Ti e ´CePOT.3+´ para aplicação em luminescência persistente e iluminação de estado sólido [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46136/tde-15122015-091157/
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films (2014)
Sparvoli, Marina; Jorge, Fábio de Oliveira; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SPARVOLI, Marina et al. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Sparvoli, M., Jorge, F. de O., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2014). Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
NLM
Sparvoli M, Jorge F de O, Mansano RD, Chubaci JFD. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
Vancouver
Sparvoli M, Jorge F de O, Mansano RD, Chubaci JFD. Photoluminescence analysis of hydrogenated indium nitride thin films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0336-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn (2005)
Caetano, Eweron Wagner Santos; Freire, Valder Nogueira; Farias, Gil de Aquino; Pinheiro, Jean Reinildes; Cavada, B. S.; Leite, J. R.; Alves, Horacio Wagner Leite
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CAETANO, Eweron Wagner Santos et al. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Caetano, E. W. S., Freire, V. N., Farias, G. de A., Pinheiro, J. R., Cavada, B. S., Leite, J. R., & Alves, H. W. L. (2005). Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
NLM
Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
Vancouver
Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 jun. 19 ]
Artigo de periodico
Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides (2005)
Henriques, André Bohomoletz; Wiertz, Antoine Joseph; Manfrini, M A; Springholz, G; Rappl, P H O; Abramof, E; Ueta, Y
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides. Physical Review B, v. 72, n. 6, p. 155337/1-155337/5, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.155337. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Henriques, A. B., Wiertz, A. J., Manfrini, M. A., Springholz, G., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Ueta, Y. (2005). Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides. Physical Review B, 72( 6), 155337/1-155337/5. doi:10.1103/physrevb.72.155337
NLM
Henriques AB, Wiertz AJ, Manfrini MA, Springholz G, Rappl PHO, Abramof E, Ueta Y. Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 6): 155337/1-155337/5.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.155337
Vancouver
Henriques AB, Wiertz AJ, Manfrini MA, Springholz G, Rappl PHO, Abramof E, Ueta Y. Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 6): 155337/1-155337/5.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.155337
Artigo de periodico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Abramof, E
Source: Journal of Physics D. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, v. 37, n. 21, p. 2949-2953, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2004). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, 37( 21), 2949-2953. doi:10.1088/0022-3727/37/21/002
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
Artigo de periodico
Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films (2004)
Pereyra, Inés ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Oliveira, R A R; Ribeiro, M; Scopel, Wanderla Luis
Source: Materials Science and Engineering B. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREYRA, Inés et al. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films. Materials Science and Engineering B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Pereyra, I., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., Oliveira, R. A. R., Ribeiro, M., & Scopel, W. L. (2004). Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films. Materials Science and Engineering B. doi:10.1016/j.mseb.2004.05.015
NLM
Pereyra I, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Oliveira RAR, Ribeiro M, Scopel WL. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015
Vancouver
Pereyra I, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Oliveira RAR, Ribeiro M, Scopel WL. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.015
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Sharp lines in the absorption edge of EuTe and "Pb IND.0.1" "Eu IND.0.9" Te in high magnetic fields (2004)
Hanamoto, L K; Henriques, André Bohomoletz; Oliveira Jr., N. F.; Rappl, P; Abramof, E; Ueta, Y
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPECTROSCOPIA ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
HANAMOTO, L K et al. Sharp lines in the absorption edge of EuTe and "Pb IND.0.1" "Eu IND.0.9" Te in high magnetic fields. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 16, n. 30, p. 5597-5604, 2004Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/q57/ZSD+paybTVtn2AtTmyicrg/cm4_30_019.pdf. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Oliveira Jr., N. F., Rappl, P., Abramof, E., & Ueta, Y. (2004). Sharp lines in the absorption edge of EuTe and "Pb IND.0.1" "Eu IND.0.9" Te in high magnetic fields. Journal of Physics-Condensed Matter, 16( 30), 5597-5604. Recuperado de http://ej.iop.org/links/q57/ZSD+paybTVtn2AtTmyicrg/cm4_30_019.pdf
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Rappl P, Abramof E, Ueta Y. Sharp lines in the absorption edge of EuTe and "Pb IND.0.1" "Eu IND.0.9" Te in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2004 ; 16( 30): 5597-5604.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q57/ZSD+paybTVtn2AtTmyicrg/cm4_30_019.pdf
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Rappl P, Abramof E, Ueta Y. Sharp lines in the absorption edge of EuTe and "Pb IND.0.1" "Eu IND.0.9" Te in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2004 ; 16( 30): 5597-5604.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q57/ZSD+paybTVtn2AtTmyicrg/cm4_30_019.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation (2002)
Gobato, Y. G.; Marletta, Alexandre; De Souza, J. M.; Pereira, E.; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Molecular Crystals & Liquid Crystals. Conference titles: International Conference on Frontiers of Polymers and Advanced Materials. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
GOBATO, Y. G. et al. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. Lausanne: Gordon and Breach. . Acesso em: 19 jun. 2024. , 2002
APA
Gobato, Y. G., Marletta, A., De Souza, J. M., Pereira, E., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2002). Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. Lausanne: Gordon and Breach.
NLM
Gobato YG, Marletta A, De Souza JM, Pereira E, Faria RM, Guimarães FEG. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. 2002 ; 374 497-502.[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Gobato YG, Marletta A, De Souza JM, Pereira E, Faria RM, Guimarães FEG. Improvement of photoluminescence efficiency in poly(p-phenylene vinylene) induced by laser irradiation. Molecular Crystals & Liquid Crystals. 2002 ; 374 497-502.[citado 2024 jun. 19 ]
Artigo de periodico
Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 jun. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Dissertação (Mestrado)
Investigação magneto-óptica de estados de Tamm em super-redes dopadas (2000)
Oliveira, R. F.; Henriques, André Bohomoletz (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
OLIVEIRA, R. F. Investigação magneto-óptica de estados de Tamm em super-redes dopadas. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Oliveira, R. F. (2000). Investigação magneto-óptica de estados de Tamm em super-redes dopadas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Oliveira RF. Investigação magneto-óptica de estados de Tamm em super-redes dopadas. 2000 ;[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Oliveira RF. Investigação magneto-óptica de estados de Tamm em super-redes dopadas. 2000 ;[citado 2024 jun. 19 ]

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