Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP (2020)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1109/JSEN.2020.2987006
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Keywords: Surface passivation; Regrowth; Photodiodes; Dark current; Surface current, photoluminescence; Photoluminescence
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2020
- Source:
- Título: IEEE Sensors Journal
- ISSN: 1530-437X
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 20, n. 16, p. 9234-9244, July 2020
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
BRAGA, Osvaldo M. et al. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, v. 20, n. 16, p. 9234-9244, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006. Acesso em: 25 fev. 2026. -
APA
Braga, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2020). Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, 20( 16), 9234-9244. doi:10.1109/JSEN.2020.2987006 -
NLM
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2026 fev. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006 -
Vancouver
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2026 fev. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006 - Integração da universidade com escolas de ensino fundamental e médio através da Olimpíada Brasileira de Física
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Informações sobre o DOI: 10.1109/JSEN.2020.2987006 (Fonte: oaDOI API)
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