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Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (2020)
Carvalho, Marcel Castilho Batista de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FONTES RENOVÁVEIS DE ENERGIA, SILÍCIO, VEÍCULOS ELÉTRICOS
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ABNT
CARVALHO, Marcel Castilho Batista de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/. Acesso em: 23 jul. 2024.
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Carvalho, M. C. B. de. (2020). Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
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Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
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Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
Tese (Doutorado)
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
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Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
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Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
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Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
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Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício (2017)
Siqueira, Felipe Tomachevski; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, SILÍCIO, TERMOELETRICIDADE
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SIQUEIRA, Felipe Tomachevski. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/. Acesso em: 23 jul. 2024.
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Siqueira, F. T. (2017). Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/
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Siqueira FT. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/
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Siqueira FT. Caracterização das propriedades físicas e termoelétricas de filmes Cu-Ni-P obtidos por deposição química sobre silício [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-112841/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
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Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
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Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
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CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
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Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
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Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Tese (Doutorado)
Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo (2017)
Melo, Emerson Gonçalves de ; Alayo Chávez, Marco Isaías (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FOTÔNICA, SILÍCIO, DISPERSÃO DA LUZ
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MELO, Emerson Gonçalves de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/. Acesso em: 23 jul. 2024.
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Melo, E. G. de. (2017). Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/
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Melo EG de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/
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Melo EG de. Integração monolítica de guias de onda, curvas e junções em Y baseados em cristais fotônicos planares de silício e com baixas velocidades de grupo [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-150947/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
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OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
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Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Tese (Doutorado)
Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras (2015)
Silva, Diego Silvério da; Kassab, Luciana Reyes Pires (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: NANOPARTÍCULAS, SILÍCIO, FOTÔNICA, ÉRBIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Diego Silvério da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Silva, D. S. da. (2015). Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/
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Silva DS da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/
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Silva DS da. Produção e caracterização de guias de onda dopados com terras-raras contendo nanopartículas semicondutoras [Internet]. 2015 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20062016-153455/
Tese (Doutorado)
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (2013)
Doria, Renan Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
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Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
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Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Dissertação (Mestrado)
Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício (2011)
Maruta, Ricardo Hitoshi; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: PROCESSAMENTO DIGITAL DE IMAGENS, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, GRANULOMETRIA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARUTA, Ricardo Hitoshi. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Maruta, R. H. (2011). Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/
NLM
Maruta RH. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/
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Maruta RH. Um novo algoritmo de granulometria com aplicação em caracterização de nanoestruturas de silício [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122011-145321/
Dissertação (Mestrado)
Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo (2010)
Nunes, Carolina Carvalho Previdi; Zambom, Luís da Silva (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, FILMES FINOS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Nunes, C. C. P. (2010). Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/
NLM
Nunes CCP. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/
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Nunes CCP. Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05122011-151324/
Tese (Doutorado)
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
NLM
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
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Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
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Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Tese (Doutorado)
Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo (2009)
Raimundo, Daniel Scodeler; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SILÍCIO, NANOTECNOLOGIA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAIMUNDO, Daniel Scodeler. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Raimundo, D. S. (2009). Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/
NLM
Raimundo DS. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/
Vancouver
Raimundo DS. Nanoestruturas metálicas e de silício para intensificação de campo próximo [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13122011-122139/
Dissertação (Mestrado)
Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos (2009)
Aparicio Acosta, Aldo; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA (PROCESSOS), SILÍCIO, NANOCOMPOSITOS, SENSORES QUÍMICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
APARICIO ACOSTA, Aldo. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Aparicio Acosta, A. (2009). Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/
NLM
Aparicio Acosta A. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/
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Aparicio Acosta A. Silício poroso funcionalizado com moléculas de azul de metileno para aplicações em sensores químicos [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052009-150138/
Tese (Doutorado)
Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (2009)
Ribeiro, Márcia; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, Márcia. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Ribeiro, M. (2009). Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
NLM
Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
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Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular (2008)
Oliveira Júnior, José Pinto de; Paez Carreño, Marcelo Nelson (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, AUTÔMATOS CELULARES, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA JÚNIOR, José Pinto de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Oliveira Júnior, J. P. de. (2008). Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/
NLM
Oliveira Júnior JP de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/
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Oliveira Júnior JP de. Desenvolvimento de software para simulação atomística da corrosão anisotrópica do silício por autômato celular [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-204522/
Tese (Doutorado)
Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (2008)
Souza Filho, José Cândido de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: ÓPTICA, LASER, ESPALHAMENTO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA FILHO, José Cândido de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Souza Filho, J. C. de. (2008). Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
NLM
Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
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Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
Tese (Doutorado)
Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (2008)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: COBALTO, ELETROQUÍMICA, PALÁDIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/. Acesso em: 23 jul. 2024.
APA
Hashimoto, A. I. (2008). Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/
NLM
Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/
Vancouver
Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jul. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

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