ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-anais periodico
Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study (1998)
Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Tabata, A; Lischka, K; Schikora, D; Bechstedt, F
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 29 jul. 2024. , 1998
APA
Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing.
NLM
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 jul. 29 ]
Vancouver
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 jul. 29 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs (1998)
Tabata, A; Enderlein, R; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Kaiser, S; Schikora, D; Schoettker, B; Koehler, U; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III-Nitrides and Related Materials International Conference. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 29 jul. 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Kaiser, S., et al. (1998). Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 jul. 29 ]
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 jul. 29 ]
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 29 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 29 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 29 ]
Artigo de periodico
Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers (1996)
Tabata, A; Enderlein, R; Leite, J. R.; Silva, S W; Galzerani, J C; Schikora, D; Kloidt, M; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 79, n. 8 , p. 4137-9, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.361778. Acesso em: 29 jul. 2024.
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Leite, J. R., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Schikora, D., et al. (1996). Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 79( 8 ), 4137-9. doi:10.1063/1.361778
NLM
Tabata A, Enderlein R, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Schikora D, Kloidt M, Lischka K. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;79( 8 ): 4137-9.[citado 2024 jul. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.361778
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Schikora D, Kloidt M, Lischka K. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;79( 8 ): 4137-9.[citado 2024 jul. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.361778
Artigo de periodico
Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC' (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6322, 1996Tradução . . Acesso em: 29 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6322.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 jul. 29 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 jul. 29 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors