Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers (1996)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.361778
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.79, n.8 , p.4137-9, 1996
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: bronze
-
ABNT
TABATA, A et al. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 79, n. 8 , p. 4137-9, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.361778. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Leite, J. R., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Schikora, D., et al. (1996). Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 79( 8 ), 4137-9. doi:10.1063/1.361778 -
NLM
Tabata A, Enderlein R, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Schikora D, Kloidt M, Lischka K. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;79( 8 ): 4137-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.361778 -
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Schikora D, Kloidt M, Lischka K. Comparative raman studies of cubic and hexagonal gan epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 1996 ;79( 8 ): 4137-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.361778 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.361778 (Fonte: oaDOI API)
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