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Trabalho de evento-resumo
OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS (2020)
Mendonça, Bianca Jardim; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Silva, Antonio Ferreira da; Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidades: IF, EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
MENDONÇA, Bianca Jardim et al. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Mendonça, B. J., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Silva, A. F. da, Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2020). OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
NLM
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Silva AF da, Zambom L da S, Mansano RD. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
Vancouver
Mendonça BJ, Chubaci JFD, Matsuoka M, Silva AF da, Zambom L da S, Mansano RD. OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF TITANIUM OXIDE THIN FILMS [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0291-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons (2016)
Castilho, William de ; Matsuoka, Masao
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS
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ABNT
CASTILHO, William de e MATSUOKA, Masao. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Castilho, W. de, & Matsuoka, M. (2016). Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Castilho W de, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Castilho W de, Matsuoka M. Caracterização de filmes finos de nitreto de boro cúbico preparados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica (2016)
Souza, Felipe Abdalla Tiradentes de; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF
Subjects: ELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Felipe Abdalla Tiradentes de e MATSUOKA, Masao e CHUBACI, Jose Fernando Diniz. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Souza, F. A. T. de, Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2016). Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Artigo de periodico
Bulk properties of InN films determined by experiments and theory (2014)
Kumar, M.; Baldissera, G.; Persson, C.; David, D. G. F.; Silva, M. V. S. da; Ferreira da Silva, A.; Freitas, J. A., Jr.; Tischler, J. G.; Chubaci, José Fernando Diniz ; Matsuoka, Masao
Source: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
KUMAR, M. et al. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, v. 403, p. 124-127, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Kumar, M., Baldissera, G., Persson, C., David, D. G. F., Silva, M. V. S. da, Ferreira da Silva, A., et al. (2014). Bulk properties of InN films determined by experiments and theory. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 403, 124-127. doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
NLM
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Vancouver
Kumar M, Baldissera G, Persson C, David DGF, Silva MVS da, Ferreira da Silva A, Freitas JA, Tischler JG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Bulk properties of InN films determined by experiments and theory [Internet]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2014 ; 403 124-127.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.06.001
Trabalho de evento-resumo
Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2014)
Costa, Harliton Jonas; David, Denis G. F.; Silva, Antônio Ferreira da; Freitas Jr., Jaime A.; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Source: SBF. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas et al. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Costa, H. J., David, D. G. F., Silva, A. F. da, Freitas Jr., J. A., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2014). Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
NLM
Costa HJ, David DGF, Silva AF da, Freitas Jr. JA, Chubaci JFD, Matsuoka M. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
Vancouver
Costa HJ, David DGF, Silva AF da, Freitas Jr. JA, Chubaci JFD, Matsuoka M. Formação de filmes finos de óxidos metálicos pela técnica IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxii/sys/resumos/R0430-1.pdf
Artigo de periodico
Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas (2014)
Tanaka, Paula Yurie; Ohshima, Kouichi; Matsuoka, Masao; Sabino, Ester Cerdeira; Ferreira, Suzete Cleusa; Nishya, Anna Shoko; Costa, Renata de Oliveira; Calore, Edenilson Eduardo; Perez, Nilda Maria; Pereira, Juliana
Source: Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. Unidades: FM, IF
Subjects: HIV, SÍNDROME DE IMUNODEFICIÊNCIA ADQUIRIDA, HERPESVIRUS 4 HUMANO
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ABNT
TANAKA, Paula Yurie et al. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, v. 30, n. 3, p. 191-194, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Tanaka, P. Y., Ohshima, K., Matsuoka, M., Sabino, E. C., Ferreira, S. C., Nishya, A. S., et al. (2014). Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion, 30( 3), 191-194. doi:10.1007/s12288-014-0345-9
NLM
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Vancouver
Tanaka PY, Ohshima K, Matsuoka M, Sabino EC, Ferreira SC, Nishya AS, Costa R de O, Calore EE, Perez NM, Pereira J. Epstein–Barr Viral Load is Associated to Response in AIDS-Related Lymphomas [Internet]. Indian Journal of Hematology and Blood Transfusion. 2014 ; 30( 3): 191-194.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s12288-014-0345-9
Trabalho de evento-resumo
Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas; Silva, Antônio Ferreira da; Silva, Marcus Vinicius Santos da; David, Denis G. F.; Freitas Jr, Jaime A.; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas et al. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Costa, H. J., Silva, A. F. da, Silva, M. V. S. da, David, D. G. F., Freitas Jr, J. A., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2013). Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition). In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
NLM
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Vancouver
Costa HJ, Silva AF da, Silva MVS da, David DGF, Freitas Jr JA, Matsuoka M, Chubaci JFD. Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition) [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R0529-1.pdf
Artigo de periodico
Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals (2013)
Isotani, Sadao; Albuquerque, Antonio Roberto Pereira Leite de; Matsuoka, Masao
Source: PHYSICA B-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TERMOLUMINESCÊNCIA, CINÉTICA, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
ISOTANI, Sadao e ALBUQUERQUE, Antonio Roberto Pereira Leite de e MATSUOKA, Masao. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, v. 415, p. 38-43, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Isotani, S., Albuquerque, A. R. P. L. de, & Matsuoka, M. (2013). Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals. PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 415, 38-43. doi:10.1016/j.physb.2013.01.040
NLM
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Vancouver
Isotani S, Albuquerque ARPL de, Matsuoka M. Isothermal annealing of a 620 nm optical absorption band in Brazilian topaz crystals [Internet]. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2013 ; 415 38-43.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.01.040
Trabalho de evento-resumo
Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) (2013)
Costa, Harliton Jonas da; David, Denis G F; Silva, Antonio Ferreira da; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Freitas Junior, Jaime A
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (CONGRESSOS), FILMES FINOS (CONGRESSOS)
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ABNT
COSTA, Harliton Jonas da et al. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). 2013, Anais.. São Paulo: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Costa, H. J. da, David, D. G. F., Silva, A. F. da, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., & Freitas Junior, J. A. (2013). Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition). In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
NLM
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Vancouver
Costa HJ da, David DGF, Silva AF da, Chubaci JFD, Matsuoka M, Freitas Junior JA. Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition) [Internet]. Resumo. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxxi/sys/resumos/R0548-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. (2011)
Souza, Pedro O de; Chubaci, José F D; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Guimarães, Renato S; Rosa, Raffaela de; Torres, Henrique G; Gennari, Roseli F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
SOUZA, Pedro O de et al. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Souza, P. O. de, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Guimarães, R. S., Rosa, R. de, et al. (2011). Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
NLM
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Vancouver
Souza PO de, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Guimarães RS, Rosa R de, Torres HG, Gennari RF. Production and photoluminescence characterization of silicate glasses exposed to ionizing radiation. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3278-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD (2011)
Santos, Thales Borrely dos ; Chubaci, José F D; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Hattori, Yocefu; Souza, Pedro O de; Gennary, Rosely F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Hattori, Y., Souza, P. O. de, & Gennary, R. F. (2011). Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode (2010)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Surface and Coatings Technology. Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, IFSC
Subjects: ÍONS (ESTUDO), POLÍMEROS (MATERIAIS), EMISSÃO DA LUZ, DIODOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014. Acesso em: 09 set. 2024. , 2010
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2010). Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
Trabalho de evento-anais periodico
Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (2010)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Zambom, Luís da Silva ; Ogata, Katsuhiko
Source: Surface & Coatings Technology. Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Unidades: IF, EP
Assunto: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972. Acesso em: 09 set. 2024. , 2010
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Zambom, L. da S., & Ogata, K. (2010). Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Zambom L da S, Ogata K. Chemical bonding and composition of silicon nitride films prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2010 ; 204 18-19.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/02578972
Trabalho de evento-resumo
OLED with different metal/organic interface configuration (2010)
Dionysio, D. Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), FILMES FINOS, METAIS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. OLED with different metal/organic interface configuration. 2010, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2010). OLED with different metal/organic interface configuration. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. OLED with different metal/organic interface configuration [Internet]. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/99.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) (2010)
Dionysio, Danilo Olzon; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIONYSIO, Danilo Olzon et al. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2010). Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Dionysio DO, Faria RM, Guimarães FEG, Matsuoka M, Chubaci JFD. Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD). Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD (2009)
Prado, Caio Alves Garcia; Sparvoli, Marina; Matsuoka, Massao; Chubaci, Jose Fernando Diniz
Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA (ESTUDO E ENSINO), FILMES FINOS
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ABNT
PRADO, Caio Alves Garcia et al. Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD. 2009, Anais.. São Paulo: USP, 2009. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/Resumos/17Siicusp/resumos/4858.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Prado, C. A. G., Sparvoli, M., Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2009). Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD. In . São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/Resumos/17Siicusp/resumos/4858.pdf
NLM
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Chubaci JFD. Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/Resumos/17Siicusp/resumos/4858.pdf
Vancouver
Prado CAG, Sparvoli M, Matsuoka M, Chubaci JFD. Estudo das propriedades de filmes finos de Nitreto de Índio preparado por IBAD [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/Resumos/17Siicusp/resumos/4858.pdf
Trabalho de evento-resumo
Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices (2009)
Souza, Danilo Olzon Dionysio de; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Chubaci, José Fernando Diniz; Matsuoka, Masao
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SOUZA, Danilo Olzon Dionysio de et al. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Souza, D. O. D. de, Faria, R. M., Guimarães, F. E. G., Chubaci, J. F. D., & Matsuoka, M. (2009). Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
NLM
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Vancouver
Souza DOD de, Faria RM, Guimarães FEG, Chubaci JFD, Matsuoka M. Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/prog/xxxii_enfmc_abstracts.pdf
Artigo de periodico
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition (2008)
Matsuoka, Masao; Isotani, Sadao; Mamani, Wilmer Alexe Sucasaire; Kuratani, N; Ogata, K
Source: Surface and Coatings Technology. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MATSUOKA, Masao et al. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Kuratani, N., & Ogata, K. (2008). X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology. doi:10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
Artigo de periodico
Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range (2006)
Nascimento, M L F; Nascimento, E; Pontuschka, W. M.; Matsuoka, Masao; Watanabe, S.
Source: Cerâmica. Unidade: IF
Assunto: SILICATOS
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ABNT
NASCIMENTO, M L F et al. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range. Cerâmica, v. 52, n. 321, p. 22-30, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Nascimento, M. L. F., Nascimento, E., Pontuschka, W. M., Matsuoka, M., & Watanabe, S. (2006). Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range. Cerâmica, 52( 321), 22-30. doi:10.1590/s0366-69132006000100004
NLM
Nascimento MLF, Nascimento E, Pontuschka WM, Matsuoka M, Watanabe S. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range [Internet]. Cerâmica. 2006 ; 52( 321): 22-30.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004
Vancouver
Nascimento MLF, Nascimento E, Pontuschka WM, Matsuoka M, Watanabe S. Test of Anderson-Stuart model in sodium silicate glasses and the general Arrhenian conductivity rule in wide composition range [Internet]. Cerâmica. 2006 ; 52( 321): 22-30.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0366-69132006000100004
Artigo de periodico
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2006)
Lopes, K C; Matsuoka, Masao; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Sucasaire, S; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira; Leite, J R; Freitas, J A
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: VÁCUO, FILMES FINOS
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ABNT
LOPES, K C et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 1, p. 55-58, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., Sucasaire, S., et al. (2006). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 1), 55-58. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Sucasaire S, Salvadori MCB da S, Leite JR, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 55-58.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Sucasaire S, Salvadori MCB da S, Leite JR, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 55-58.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_55.pdf

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