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Dissertação (Mestrado)
Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SENSORES QUÍMICOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php. Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Salcedo, W. J. (1994). Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
NLM
Salcedo WJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jul. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
Vancouver
Salcedo WJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jul. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores (1994)
Perez Lisboa, Mauricio Oscar; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Perez Lisboa, M. O. (1994). Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Perez Lisboa MO. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores. 1994 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Vancouver
Perez Lisboa MO. Efeitos dos mecanismos de falha na confiabilidade de dispositivos semicondutores. 1994 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr (1993)
Nori, Fabio; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
NORI, Fabio. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Nori, F. (1993). Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Nori F. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Vancouver
Nori F. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados (1993)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALEAZZO, Elisabete. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Galeazzo, E. (1993). Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Galeazzo E. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Vancouver
Galeazzo E. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio (1993)
Baratto, Giovani; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARATTO, Giovani. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Baratto, G. (1993). Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Baratto G. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Vancouver
Baratto G. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Contribuição ao projeto e construção de transistores bipolares PNP (1978)
Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Contribuição ao projeto e construção de transistores bipolares PNP. 1978. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 16 jul. 2024.
APA
Ramírez Fernandez, F. J. (1978). Contribuição ao projeto e construção de transistores bipolares PNP (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao projeto e construção de transistores bipolares PNP. 1978 ;[citado 2024 jul. 16 ]
Vancouver
Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao projeto e construção de transistores bipolares PNP. 1978 ;[citado 2024 jul. 16 ]

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Departamento/Programa de Pós Graduação