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Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio (1993)

  • Authors:
  • Autor USP: BARATTO, GIOVANI - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Apresentamos um modelo teorico para a resposta ao hidrogenio dos transistores mos com porta de paladio (pd-mosfet) e, comparamos com os resultados experimentais dos dispositivos por nos fabricados. Um roteiro basico para a fabricacao de transistores pd-mosfet com as tecnologias compativeis com a fabricacao de circuitos integrados e definido. Montamos um sistema para diluir o hidrogenio em concentracoes apropriadas as medidas de caracterizacao dos dispositivos. O filme de paladio, estudado com algumas tecnicas de caracterizacao de filmes finos, apresentou contaminacao de tungstenio. Estudamos o comportamento do transistor pd-mosfet em regime permanente, com transiente na concentracao de hidrogenio e, em funcao da temperatura. O transistor apresentou uma excelente sensibilidade ao hidrogenio, exibindo uma variacao na tensao de limiar de aproximadamente 0,3 v para concentracoes de 13 ppm. A maxima variacao na tensao de limiar ficou em torno de 0,5 v. Os resultados experimentais comprovaram a existencia de deriva induzida pelo hidrogenio (hid). O oxigenio tem um importante papel no efeito do hid e pode promover a inativacao do dispositivo. A resposta do transistor deve ser modelada com a isoterma de langmuir somente se o ambiente nao contiver oxigenio, caso contrario, a isoterma de temkim deve ser utilizada para contabilizar o efeito da deriva induzida pelo hidrogenio.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 07.05.1993

  • How to cite
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    • ABNT

      BARATTO, Giovani; RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993.
    • APA

      Baratto, G., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993 ;
    • Vancouver

      Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Transistor MOS com porta de paladio sensivel ao hidrogenio. 1993 ;

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