Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso (1994)
- Authors:
- Autor USP: SALCEDO, WALTER JAIMES - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: O objetivo deste trabalho é contribuir com o desenvolvimento de uma tecnologia para o silício poroso que permita sua utilização na fabricação de sensores químicos e dispositivos optoeletrônicos. Apresenta-se uma revisão do estado da arte do modelamento e tecnologia do silício poroso, discutindo o carater polêmico de seus resultados. É apresentado um processo experimental para a obtenção de camadas de silício poroso e sua caracterização estrutural. Propondo-se um modelo analítico para determinar a estrutura da camada de silício poroso, utilizando os resultados da caracterização por espectroscopia infra-vermelho. Foram fabricados dispositivos utilizando camadas de silício poroso e testadas sob diferentes condições de temperatura e umidade. Analizando o comportamento elétrico destes dispositivos é proposto um modelo para o transporte de portadores de carga elétrica pela camada de silício poroso.
- Imprenta:
- Data da defesa: 12.09.1994
-
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes; RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. 1994.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. -
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. 1994 ; -
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Contribuição ao desenvolvimento de sensores com silício poroso. 1994 ; - Effect of number of layers on the optical response of porous silicon Bragg´s mirrors
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