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Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr (1993)

  • Authors:
  • Autor USP: NORI, FÁBIO - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho estuda as alteracoes das caracteristicas eletricas de diodos p-'NI'-n de potencia, especialmente qrr e vf, quando sao sujeitos a um implante de protons. O enfoque dado ao tratamento do problema e pratico, visando o uso dos componentes processados em circuitos de potencia, por isto introduz-se um circuito em que e usado um diodo de potencia. Desta forma as caracteristicas eletricas exigidas para este tipo de componente surgem naturalmente. Como o principal parametro afetado pelo implante de protons e o tempo de vida dos portadores na regiao 'N POT.-', E apresentada uma revisao do comportamento de diodos de potencia em funcao do tempo de vida dos portadores, com vistas ao processo utilizado. E feito um estudo critico dos meios disponiveis para o processamento das amostras, a partir da qual sao determinadas algumas caracteristicas do sistema de irradiacao. A partir dos resultados obtidos das amostras irradiadas e criticado o processo com relacao a sua adequacao a producao de componentes de potencia rapidos e, tambem conclui-se que os resultados obtidos sao validos e significativos, aplicaveis a estudos posteriores
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.01.1993

  • How to cite
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    • ABNT

      NORI, Fabio; RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993.
    • APA

      Nori, F., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Nori F, Ramírez Fernandez FJ. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;
    • Vancouver

      Nori F, Ramírez Fernandez FJ. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;

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