Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices (2008)
- Authors:
- Autor USP: POUSSEP, IOURI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.3050531
- Subjects: SEMICONDUTORES; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; FOTOLUMINESCÊNCIA; MAGNETISMO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 93, n. 24, p. 242104-1-242104-3, Dec. 2008
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
PUSEP, Yuri A e GOZZO, G. C. e LA PIERRE, R. R. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, v. 93, n. 24, p. 242104-1-242104-3, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3050531. Acesso em: 22 jan. 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & La Pierre, R. R. (2008). Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, 93( 24), 242104-1-242104-3. doi:10.1063/1.3050531 -
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531 -
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531 - Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.3050531 (Fonte: oaDOI API)
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