Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP ; DIRANI, ELY ANTONIO TADEU - EP
- Unidade: EP
- Assunto: FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Materials Science: materials in electronics
- ISSN: 0957-4522
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.14, n. 5-7, p.407-411, May-Jul 2003
-
ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani et al. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics, v. 14, n. 5-7, p. 407-411, 2003Tradução . . Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Nardes, A. M., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Muccillo, R., & Muccillo, E. N. dos S. (2003). Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics, 14( 5-7), 407-411. -
NLM
Nardes AM, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Muccillo R, Muccillo EN dos S. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics. 2003 ;14( 5-7): 407-411.[citado 2024 set. 18 ] -
Vancouver
Nardes AM, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Muccillo R, Muccillo EN dos S. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics. 2003 ;14( 5-7): 407-411.[citado 2024 set. 18 ] - Low operating voltage of an ITO/MEH-PPV/AI light emmiting device
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